Cекция принимает теоретические и экспериментальные работы в области квантовой мезоскопики, спинтроники, магноники, сверхпроводимости, топологических квантовых явлений, изучение процессов формирования интерфейсов на атомном масштабе, исследований различных свойств наноустройств и функциональных квантовых материалов
Контакты: stolyarov.vs@phystech.edu, dobrovolskaia.ea@mipt.ru
Формат проведения: очный
Дата и время проведения: 30.03.2026 в 9:00
Место проведения: МФТИ , 123 ГК
В работе исследуется возможность электрического контроля температурной зависимости параметра порядка в ван-дер-ваальсовой F/S/F гетероструктуре, состоящей из трех монослоев.
В работе теоретически исследуется управление сверхпроводимостью в ван-дер-ваальсовой гетероструктуре сверхпроводник/ферромагнетик NbSe₂/VSe₂ с помощью напряжения затвора. Показано, что ключевую роль играет гибридизация электронных спектров двух монослоёв. Это приводит к возможности электрически контролируемого изменения критической температурой и величины и знака зеемановского расщепления индуцированного в сверхпроводнике, что открывает широкие перспективы для приложений в спинтронике.
В работе экспериментально исследованы гибридные S/NFN/S-структуры на основе сегментированных AuNi-нанопроводов с узкими длинами барьера. Продемонстрированы воспроизводимые гистерезисные магнитные переключения Ni сегмента и получен значительный рост плотности тока по сравнению с ранее изученными структурами на основе нанопроводов, что открывает перспективы для реализации управляемого π-контакта в подобной геометрии.
Работа посвящена теоретическому описанию магнитных возбуждений в структуре S/АF/S. Мы предсказываем возможность реализации ультрасильного магнон-фотонного взаимодействия на терагерцовых частотах, высокую чувствительность силы этого взаимодействия к величине внешнего магнитного поля, а также перспективные с точки зрения приложений магноники свойства возникающих в системе магнон-поляритонов.
В работе были исследованы как одиночные сканы в виде прямых линий, так и их массивы. Были получены оптимальные параметры для создания тонких и однородных слоев оксида на поверхности ниобия.
MnBi2Te4 - магнитный топологический изолятор, обладающий магнитным порядком и нетривиальной топологией. В данной работе проведены магнитные и транспортные измерения на монокристаллах (GexMn1–x)Bi2Te4 (x = 0.1; 0.2; 0.6). Обнаружено, что легирование Ge постепенно ослабляет антиферромагнитное обменное взаимодействие и снижает критическое поле ферромагнитного упорядочения, что может открыть путь для реализации квантового аномального эффекта Холла в более низких магнитных полях.
Методами сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии исследована электронная структура и сверхпроводящие свойства поверхности топологических изоляторов PbBi₂Te₄ и SnBi₂Te₄, легированных индием.
В рамках работы велась разработка технологического маршрута изготовления сверхпроводящих Nb/In-nanowires/Nb- структур, которые в дальнейшем могут быть использованы для создания джозефсоновских контактов.
В работе методом низкотемпературной сканирующей туннельной спектроскопии исследованы морфологические и сверхпроводящие свойства гранулированных плёнок ниобия. Разработана процедура деконволюции S₁–I–S₂-спектров, позволившая восстановить локальную плотность состояний и построить карты пространственного распределения щели Δ(x,y), которые демонстрируют скачкообразные изменения на границах зерен внутри сердцевин вихрей.
В работе исследуются оптические свойства фотонных кристаллов с термочувствительным слоем диоксида ванадия. Численно определена оптимальная толщина VO2 для обеспечения высокой чувствительности структуры к изменению показателя преломления слоя. Рассчитаны спектрально-угловые зависимости отражения фотонного кристалла и их изменения при нагреве. Изготовлены образцы и исследованы их оптические свойства.
В данной работе проведено теоретическое и экспериментальное исследование многослойных кольцевых резонаторов с гибридной (сверхпроводниковой/ферромагнитной) структурой для создания широкополосных перестраиваемых элементов с малыми потерями, управляемых внешним магнитным полем. В отличие от традиционных многослойных структур S/F/S/F/S, в данной работе исследуются образцы с дополнительным нормальным металлическим слоем алюминия (Al), интегрированным в гетероструктуру.
PbBi2Te4 - трехмерный топологический изолятор с небольшой шириной запрещенной зоны. При допировании данного вещества индием он становится сверхпроводником второго рода. Подобные материалы уже давно привлекают внимание исследователей из-за предсказанного перехода в состояние топологического сверхпроводника. В работе исследовались электрон-транспортные свойства тонких образцав Pb0.6In0.4Bi2Te4 в четырехточечной и квази-четырехточечной геометрии, полученных методом эксфолиации
В работе исследована локальная плотность состояний в сердцевине четырёхкратного вихря Абрикосова в треугольной решётке. Численное решение уравнений Боголюбова–де Женна показывает, что анизотропия поверхности Ферми приводит к переходу от радиально-симметричных состояний Кароли–де Женна–Матрикона к четырёхлепестковой структуре. Показана конкуренция четырёх- и шестикратной симметрий и влияние межвихревого расстояния.
Работа посвящена исследованию динамики вихрей Абрикосова в тонкой сверхпроводящей плёнке под действием СВЧ транспортного тока. В рамках нестационарных уравнений Гинзбурга–Ландау показано, что движение вихрей имеет запаздывающий характер из-за релаксации потенциала зарядового разбаланса. Получено частотно-зависимое уравнение движения и найден вклад вихрей в кинетическую индуктивность сверхпроводника за счёт данного механизма.
Выполнен синтез кристаллов $$B{i}_{2}T{e}_{3}$$ методов PVD. Исследована морфология кристаллов при разных параметров напыления. При разных параметрах наблюдались: кольца Лизеганга из атомов теллура, аморфные структуры теллурида висмута, кристаллические пятиугольные струтуры $$B{i}_{2}T{e}_{3}$$. Произведён EDS метод анализа состава.
Сверхпроводящие искусственные атомы могут быть использованы для измерения магнитного поля с Гейзенберговским пределом точности. В работе показывается, что использование сверхпроводникового кутрита позволяет достигать Гейзенберговского предела при измерении магнитного поля, а также уменьшить время измерения, необходимое для получения заданной точности по отношению к сверхпроводниковому кубиту при использовании в качестве протокола алгоритмов оценки фазы.
Уменьшение ошибки считывания состояния кубита является одной из важнейших задач на пути реализации квантовых компьютеров. В частности, точное считывание состояния кутрита имеет критическое значение для задач квантовой магнитометрии, где точность сенсора напрямую зависит от точности измерений. В данной работе мы предлагаем использование нейронной сети прямого распространения (FNN) для классификации состояния кутрита-трансмона.
В работе обсуждаются магнитные свойства кристалла топологического изолятора MnSb₂Te₄. Были получены зависимости положения и ширины ферромагнитного резонанса от частоты и температуры. Обнаружено, что ширина резонанса не подчиняется линейной зависимости с постоянным гильбертовым затуханием α. Показано, что поле анизотропии линейно растет с понижением температуры, что согласуется с результатами численного расчета анизотропии в модели среднего поля.
В данной работе проведено исследование антиферромагнитного топологического изолятора Ge0.4Mn0.6Bi2Te4 методами криогенной магнитно-силовой микроскопии и атомистического микромагнитного моделирования с учетом беспорядка.
Исследовалась серия твёрдых растворов Mn1-xInxBi2Te4, их синтез, структура и электронные свойства. Зонная структура была исследована методом ARPES. Установлено, что при добавлении In открывается немагнитная щель. Рост содержания In сопровождается увеличением наблюдаемой запрещённой зоны между CBM и VBM, а также уменьшением реальной запрещённой зоны из-за роста плотности состояний In 5s.
В сверхпроводниках II типа при токе, превышающем критический ток Ic, вихревое движение приводит к появлению сопротивления. При увеличении тока, увеличивается скорость вихревого движения V и, согласно соотношению Джозефсона, должно монотонно увеличиваться напряжение. Однако в некоторых случаях средняя скорость вихрей может уменьшаться с увеличением тока, что приводит к появлению особенностей в вольт-амперных характеристиках, например, к отрицательному дифференциальному сопротивлению (ОДС).