Методом микрофотолюминесценции исследованы гетероструктуры R-  и H-типа с гетеробислоями MoSe2/WSe2. Обнаружено расщепление линий нейтральных и заряженных экситонов. Оценка энергии связи межслоевого и внутрислоевого экситона в исследуемых структурах осуществляется методом решения уравнения Шредингера для двух вариантов модификации потенциала Рытовой-Келдыша в двухслойной системе.

В условиях высоких давлений (9 ГПа) и высоких температур (600–700 °С) получены два соединения: Mg₄Pt₃H_y (y = 5.73–11.38) и MgPtHₓ (x = 0.08–0.45). Методом рентгеновской дифракции установлено, что Mg₄Pt₃H_y имеет кубическую структуру (пр. гр. Im-3m), MgPtHₓ — структуру типа CsCl. Оба гидрида переходят в сверхпроводящее состояние при T_c ∼3 °K. Установлено, что ранее описанная фаза MgPtHₓ ошибочно считалась фазой высокого давления β-MgH₂.

Добавление даже небольшого количества полимеров существенно изменяет реологические свойства жидкости. В потоке жидкости молекулы полимера растягиваются, что придает раствору упругие свойства. При малых числах Рейнольдса упругость может оказываться значительнее инерции. При превышении критического значения числа Вайсенберга сопротивление канала возрастало по сравнению с ламинарным режимом, одновременно наблюдалось увеличение флуктуаций разности давления двумя точками в канале.

Система уравнений состояния сверхпроводникового гаусс-нейрона разрешается в явном виде. Показывается, как использование суммарной джозефсоновской фазы, линейно связанной с выходным сигналом нейрона, позволяет производить анализ формы передаточной функции нейрона и её связь с индуктивными параметрами системы. Получены ограничения на физические параметры нейрона, сохраняющие безгистерезисный вид передаточной функции.

В работе исследовалась спиновая поляризация двумерных электронных систем (ДЭС) в параллельном магнитном поле. Методом спектроскопии ЭПР было проверено поведение резонансных пиков в транспорте, связанных с расщеплением Зеймана.

Методом резонансного отражения света исследована спиновая структура нулевого уровня Ландау в двумерной электронной системе в квантовой яме GaAs/AlGaAs вблизи фактора заполнения ν = 1. Обнаружено немонотонное поведение интенсивностей переходов с верхнего и нижнего спиновых подуровней, интерпретируемое как проявление нетривиальной спиновой поляризации и коллективных эффектов в условиях сильного кулоновского взаимодействия.

Разработана методика определения константы спин-орбитального взаимодействия для двумерных электронных систем (ДЭС) различных гетероструктур. Методика основана на том, что в ДЭС положение пика ЭПР зависит от силы спин-орбитального взаимодействия и, соответственно, от величины постоянного тока.

В работе исследовано влияние термического отжига (200–500 °C) на характеристики структур In2O3/Ag/In2O3 (IAI). Установлено, что нагрев до 350 °C оптимально улучшает их свойства: поверхностное сопротивление становится 3,42 Ом/кв, оптическое пропускание достигает 86,23 %, а коэффициент экранирования в ТГц-диапазоне возрастает до 36,1 дБ. При 500 °C происходит деградация нанослоя серебра и полная необратимая потеря экранирующих свойств данной структуры.

Работа посвящена исследованию плазмонных мод в латеральных плазмонных кристаллах на основе двумерного электронного газа в гетероструктурах AlGaAs/GaAs. Рассматриваются светлые (оптически активные) и тёмные (оптически неактивные) моды, различающиеся симметрией распределения тока и заряда. Теоретическое описание проводится в рамках модели Кронига–Пенни. Экспериментальные исследования выполнены при низких температурах и сопоставлены с результатами теоретического моделирования.

В последние годы возрос интерес к квантовым устройствам. Для изучения динамических процессов в таких системах используются методы быстрого считывания, в частности радиочастотная рефлектометрия. Существенной проблемой является несогласование импедансов квантового устройства и линии передач. Целью работы является радиочастотное измерение квантового точечного контакта с использованием метода согласования импедансов и получение данных о его кондактансе.