Конференции

68-я Всероссийская научная конференция МФТИ

Список разделов ФЭФМ - Секция физической электроники

На секции представляются новейшие перспективные направления развития отечественных фотоэлектронных технологий, связанные с регистрацией оптических сигналов в инфракрасном и ультрафиолетовом диапазонах спектра, созданием современной элементной базы опто- и фотоэлектроники, рассматриваются вопросы внедрения инновационных технологий.

 

Контакты:kovshov@phystech.edu

Формат проведения: 

Дата и время проведения: 

Место проведения:

  • Модификация алгоритмов локального контрастирования путем введения усредняющего фильтра

    Работа посвящена исследованию методов улучшения алгоритмов локального контрастирования инфракрасного изображения. Для выполнения поставленной задачи были проанализированы существующие методы локального контрастирования с целью поиска артефактов на различных сценах изображения. В результате был обнаружен артефакт в виде ореолов больших объектов, для устранения которого предложено применение усредняющего фильтра билинейно интерполированной яркости.

  • Применение разработанного NDIR газоанализатора в составе эколого-климатической станции для реализации метода турбулентных пульсаций

    В данной работе представлены результаты полевых измерений концентраций CO2 и H2O, полученных с помощью разработанного недисперсионного инфракрасного газоанализатора (Non-dispersiveinfrared, NDIR) открытого типа и газоанализатора LI-7500A, и сравнение полученных данных.

  • Разработка NDIR газоанализатора: автоматизация и испытания

    В рамках настоящей работы представлен недисперсионный инфракрасный (NDIR) газоанализатор с принципиально новой схемой генерации инфракрасного излучения. Разработанное устройство нацелено на измерение концентраций углекислого газа и паров воды в атмосферном воздухе.

  • Исследование влияния типа лиганда на фотофизические характеристики фоторезисторов на основе коллоидных квантовых точек HgTe

    Целью работы является исследование влияния типа лиганда на фотофизические характеристики фоторезисторов на основе нанокристаллов HgTe. Для исследования изменения свойств консолидированных слоев ККТ теллурида ртути выбран ряд наиболее перспективных и часто используемых лигандов из опубликованной литературы.

  • Синтез и спектральные характеристики коллоидных квантовых точек типа ядро–оболочка HgSe@CdSe

    В данной работе были синтезированы коллоидные квантовые точки со структурой ядро–оболочка HgSe@CdSe. Исследованы их спектральных характеристик в ИК- и видимой областях. Показано, что увеличение количества прекурсоров кадмия и селена приводит к сдвигу пика внутризонного поглощения в длинноволновую область. Данные спектроскопии и ЭДС подтверждают формирование оболочки CdSe на поверхности ядер HgSe без образования отдельных нанокристаллов CdSe.

  • Разработка и исследование четырехтранзисторной фоточувствительной ячейки матричного КМОП-сенсора

    Работа посвящена разработке и исследованию четырехтранзисторной (4Т) фоточувствительной ячейки для матричных КМОП-сенсоров, используемых в современной электронике (смартфоны, автомобильная промышленность, медицинская диагностика). Целью является достижение компромисса между высоким качеством изображения и быстродействием.

  • Исследование стабильности измерений фотоэлектрических параметров МФПУ на основе полупроводниковых структур HgCdTe

    В данной работе исследуется влияние температурных флуктуаций на шумовые параметры матричных фотоприёмных устройств, охлаждаемых микрокриогенными системами, на основе полупроводниковых структур HgCdTe.

  • Влияние кислорода на темновую проводимость тонких плёнок коллоидных квантовых точек PbS

    В представленной работе исследуется влияние кислорода на темновую проводимость тонких плёнок коллоидных квантовых точек PbS. Авторы демонстрируют, что кислород оказывает значительное воздействие на электрофизические свойства плёнок, многократно увеличивая темновую проводимость. На основе температурных зависимостей проводимости определена энергия активации десорбции кислорода, составляющая около 0.58 эВ (или 56.0 кДж/моль) и одинаковая для разных типов нанокристаллов. 

  • Влияние спецфакторов на фотомодули с цифровым выходом для фотоприемных устройств космического базирования

    В данной работе проведены исследования влияния ионизирующего излучения космического пространства на фотомодули с цифровым выходом (ФМ‑Д), чувствительных в инфракрасном диапазоне, из состава многорядного крупноформатного фотоприёмного устройства (ФПУ) сканирующего типа, используемого на борту космических аппаратов для дистанционного зондирования Земли с целью гидрометеорологических исследований и другого гражданского применения. Проведены испытания на радиационную стойкость ФМ‑Д.

  • Подходы к планаризации развитого топологического рельефа при создании фотосенсоров на основе низкоразмерных структур химического синтеза

    В данной работе рассматриваются подходы к планаризации развитого топологического рельефа для обеспечения однородного контакта между площадками микросхем и наносимым фоточувствительным слоем при создании фотосенсоров на основе размерно-квантованных материалов.