Продемонстрированы полевые транзисторы с сегнетоэлектрическим затвором (FeFET) на основе Hf₀,₅Zr₀,₅O₂ (HZO) со структурой MFMIS и каналом MoS₂. Показано, что конкуренция между переключением сегнетоэлектрической поляризации и гистерезисом от ловушек определяет окно памяти. Устройства поддерживают многоуровневое переключение. Контролируемая компенсация двух гистерезисных механизмов перспективна как для многоуровневой памяти, так и для безгистерезисных логических транзисторов.

В работе описан модифицированный режим АСО Hf₀,₅Zr₀,₅O₂ (HZO), позволяющий получать значительное улучшение однородности роста тонких слоев HZO на MoS₂.

В работе приведены детальные исследования структурных и электрофизических свойств HZO, сформированных путем модифицированного АСО, которые показали сохранение сегнетоэлектрических свойств при предлагаемом режиме роста. В результате была показана применимость модифицированного АСО для создания транзисторов на основе MoS₂ и HZO

При формировании прототипов вычислительных систем на основе мемристоров может использоваться электронно-лучевая литография(ЭЛЛ). При проведении ЭЛЛ на диэлектрике, из-за накопления заряда снижается разрешение литографии. В работе экспериментально исследовано влияния толщины диэлектрического слоя SiO₂ (0-1.5 мкм) на процесс ЭЛЛ применительно к задаче формирования наноразмерных элементов кроссбар-массивов мемристоров.

Работа посвящена разработке SPICE-модели сегнетоэлектрического полевого транзистора (FeFET) на основе Hf₀,₅Zr₀,₅O₂ (HZO) и двумерного MoS₂ для энергоэффективных вычислений в памяти (in-memory computing). На основе экспериментально полученных данных создана схемотехническая SPICE-модель массива таких элементов в среде LTspice. Она учитывает вариативность параметров и паразитные сопротивления, закладывая основу для аппаратной реализации модуля векторно-матричного умножения.

В данной работе было изучено взаимодействие нейтронов с гексаферритом бария, допированного четырьмя атомами алюминия при нагревании до 500 градусов Цельсия. При проведении дальнейшей рентгеновской дифракции наблюдалось выделение подрешеток, а именно магнетита Fe3O4. Были проведены теоретические расчеты взаимодействия нейтронов с веществом, основанные на литературных данных

Исследовано влияние поли-L-лизина (PLL), нанесённого послойно методом спин-коатинга, на оптические свойства плазмонных наноструктур Al и Ag. Показано, что увеличение толщины PLL приводит к универсальному красному сдвигу локализованного поверхностного плазмонного резонанса для различных морфологий наноструктур. Продемонстрировано, что PLL защищает алюминиевые наноструктуры от разрушения в водной среде и обеспечивает усиление фотолюминесценции ZnO (коэффициент усиления ≈2).

Рассмотрена проблема низкой воспроизводимости мемристоров на основе $${\mathrm{HfO}}_{2}$$, связанная со стохастическим формированием филаментов из-за перераспределения кислородных вакансий. Предложен подход к контролируемому созданию дефектов с помощью локальной электронно-лучевой обработки, построена Монте-Карло модель для условий электронного литографа. Получены профили энерговыделения по толщине плёнки и оценка числа формируемых кислородных вакансий в зависимости от энергии и дозы.

В работе предложен метод определения падения напряжения в межэлектродном промежутке в импульсном газовом разряде - одного из основных электротехнических показателей, влияющих на массовую производительность синтеза наночастиц в импульсном газовом разряде - путём аппроксимации осциллограмм производной тока в разрядном контуре, и определено падение напряжения в разряде для медных электродов в атмосфере воздуха.

Исследованы режимы формирования резистивных элементов методом сухой аэрозольной печати наночастицами никеля, синтезированными в газовом разряде. Оптимизация параметров печати позволила устранить нарушение сплошности линий и провести измерение сопротивления.

В настоящей работе исследован метод дифференциальной микроскопии, ориентированный на поиск субдифракционных дефектов при наличии эталонной структуры. Изучено влияние на возможность обнаружения дефекта параметров возбуждающего электромагнитного поля для дефектов разной топологии. Экспериментально показана детектируемость дефектов с характерным размером вплоть до 1/11 от длины волны света, что соответствует субдифракционному режиму.

Целью данной работы является оценка эффективности усиления люминесценции в ультрафиолетовом диапазоне в зависимости от размера наночастиц, синтезированных в газовом разряде, оптической плотности и конфигурации наноструктуры, созданной с помощью сухой аэрозольной печати.

В работе описана технология создания сверхтонких полевых транзисторов полупроводникового оксида индия-олова (ITO), полученных импульсным лазерным осаждением, и МДП структур на основе TiN/Hf0.5Zr0.5O2 (HZO)/ITO/Al, демонстрирующие резистивное переключение. Установлено, что изменение толщины пленки ITO от 2 до 10 нм дает возможность управлять пороговым напряжением транзисторов, а резистивные переключения в МДП структурах обусловлены окислительно-восстановительными процессами на границе ITO/HZO.

Метод атомно-слоевого осаждения (АСО) является ключевым для формирования диэлектрических слоёв в наноэлектронике. Цель данной работы — определение лучшего способа обработки поверхности пластин TiN и TaN для формирования плёнок SiO₂ и Si₃N₄ по результатам измерений их характеристик после АСО.

В работе проведено численное моделирование и сравнительный анализ электромагнитного поля в системе, состоящей из двух идентичных сферических наночастиц для двух материалов: алюминия со структурой ядро-оболочка и платины, обладающих плазмонным резонансом в ультрафиолетовой области.

Разработана вычислительная модель, которая обеспечивает симуляцию процесса электрокинетического осаждения с учетом обратного влияния растущей структуры на конфигурацию электрического поля, что принципиально отличает ее от существующих статических подходов. Это открывает перспективы для использования модели в задачах обратного дизайна и оптимизации параметров 3D-печати функциональных микроструктур.

Предложена методика исследования тонкопленочных структур на основе фторированного фуллерена C₆₀F₁₈, предназначенных для создания микроэлектронных компонентов с управляемой проводимостью. С помощью квантово-химического моделирования и фотоэлектронной спектроскопии с энергетическим разрешением изучено взаимодействие молекул C₆₀F₁₈ с подложкой GeO₂/Ge. Экспериментально подтверждено, что на данном материале молекулы удерживаются за счет сил Ван-дер-Ваальса.

В данной работе представлена модель для расчета эволюции характеристик элемента памяти при любом сценарии эксплуатации. В частности, модель учитывает изменение температуры со временем и допускает произвольный профиль подаваемого напряжения, благодаря чему модель позволяет анализировать многократные циклы записи-сохранения-чтения-перезаписи для разных рабочих частот.

Целью исследования является получение слабо агломерированных наночастиц Ag и Au со средним размером менее 10 нм методом искровой абляции, их осаждение и стабилизация в виде коллоидного раствора. Получены коллоидные растворы наночастиц Ag и Au с пиками поглощения на длине волны 422 нм (серебро) и 528 нм (золото), что соответствует их длинам волн локализованного плазмонного резонанса.

• Участник, не выступающий.

В работе проведено исследование и выполнен подбор параметров напыления и режимов активации геттера на основе сплава TiZrV

Импульсная лазерная абляция в жидкости – это перспективный метод получения суспензий кремниевых наночастиц, поверхность которых покрыта (декорирована) включениями благородных металлов, в частности золота. Такие нанокомпозиты сочетают в себе свойства диэлектриков и металлов и характеризуются низкой токсичностью, что открывает перспективы для их использования в биофотонике, например, в качестве фототермических агентов в задачах гипертермии опухолей.

В работе производится расчет и сравнение спектров дробового шума туннельного тока через двойную квантовую точку при различных режимах взаимодействия электронов. Показано, что спектры могут качественно отличаться друг от друга в зависимости от режима, что позволяет по экспериментальным данным определить, какой из режимов реализуется в конкретном образце.