Конференции

67-я Всероссийская научная конференция МФТИ

Список разделов ЛФИ - Секция физики твердого тела

Секция посвящена области физики конденсированного состояния — фундаментальным вопросам фундаментальной физике (сильно коррелированные системы, полупроводники, сверхпроводимость, графен и Ван-дер-Ваальсовы гетероструктуры), прикладным исследованиям и материаловедению

 

Формат проведения: оффлайн смешанный очно-дистанционный

Дата и время проведения: 03.04.2025 в 10:00

Место проведения: г.Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д.2, ИФТТ РАН

  • Супердисперсионный плазмонный метаматериал

    Разработана технология создания 3D-метаматериала из стопки кремниевых чипов с литографически нанесенной металлической сеткой. Используя спектроскопию Фабри-Перо, измерена дисперсия в терагерцовом диапазоне. При больших периодах сетки дисперсия соответствует плазмонной зависимости, при малых — становится сверхчувствительной к частоте излучения. Это свойство перспективно для спектроскопии и мультиплексирования.

  • Изучение проникновения квантовых вихрей в объём сверхтекучего гелия, возбуждаемых поверхностными волнами

    При температуре 2,17 K жидкий гелий описывается в рамках двухжидкостной модели Ландау.

    Проведены исследования по формированию вихревой решёточной структуры поверхностными волнами на поверхности жидкого гелия. Чтобы отслеживать возникновение квантовых вихрей, в систему вводятся инжектированные заряды, которые взаимодействуют с квантовыми вихрями.

  • Влияние отжига в активной атмосфере на времена жизни фотогенерированных носителей тока в Cu2-хSrSnS4.

     В данной работе исследовалось влияние отжига в атмосфере серы на времена жизни фоторенерированных носителей тока. дополнительный отжиг образцов в присутсвии SnS2 вносит более значительный вклад в изменение кинетики гибели фотогенерированных носителей ток, чем изменение стехиометрии по меди.

     

  • Поперечные плазмон-поляритоны в «‎тонкой структуре»‎ циклотронного резонанса в двумерных электронных системах

    В работе исследуется природа общей огибающей размерных магнитопламенных мод в двумерной электронной системе на основе GaAs/AlGaAs в форме диска с задним затвором во внешнем магнитном поле. Полученная магнитодисперсия хорошо соотносится с существующим теоретическим рассмотрением поперечных плазмон-поляритонов.

  • Фоточувствительность положительного магнетосопротивления двумерного электронного газа в сверхрешётке GaAs/AlGaAs

    В работе исследовано влияние подсветки красным светодиодом на эффект положительного магнетосопротивления в геометрии мостика Холла на селективно-легированной гетероструктуре GaAs/AlGaAs. Показано, что обнаруженное увеличение магнетосопротивления объясняется увеличением квантового времени жизни электронов в высокоподвижном двумерном электронном газе.

  • Электрофизические свойства тонкопленочных покрытий TiAlCuN в диапазоне температур от 20 °С до 250 °С

    В работе исследованы электрофизические свойства покрытий Ti1-xAlxCuN, нанесенных на кремний и SiO2 методом реактивного магнетронного распыления с использованием композитных мишеней с разным соотношением Al/Ti. Установлены соотношения состава покрытий, при которых наблюдается отрицательный температурный коэффициент сопротивления (ТКС), что делает их перспективными для использования в термисторах.

  • Конденсат магнитоэкситонов в сильных квантующих магнитных полях

    Для возбужденной двумерной электронной системы в квантующем магнитном поле была построена фазовая диаграмма в координатах "температура - плотность мощности возбуждающего лазера".

  • Электронная плотность состояний, сопротивление и критическая температура сверхпроводника в соединении с волной зарядовой плотности и неидеальным нестингом

    Для модели квазиодномерного металла с волной зарядовой плотности (ВЗП) и неидеальным нестингом расчитана электронная плотность состояний. Показано, что плотность состояний имеет логарифмическую расходимость и скачок первого рода. На основе полученных результатов произведен численный расчет сопротивления как функции температуры и вычислена перенормировка критической температуры сверхпроводника с ВЗП и нарушением нестинга.

  • Влияние перекрытия волновых функций на величину отрицательного магнитосопротивления слоистого полуметалла EuSn2As2

    В работе представлен расчёт влияния на зависимость отрицательного магнитосопротивления (ОМС) от магнитного поля членов, которые отвечающих за перекрытие волновых функций в слоистом полуметалле  $$EuS{n}_{2}A{s}_{2}$$. 
    Предлагается обобщение ранее предложенной модели, согласно которой ОМС возникает в данном соединении из-за увеличения рассеяния электронов. Изначально перекрытием пренебрегали, полагая его малым. В данной работе мы развиваем и обобщаем эту модель

  • Оптическое возбуждение и детектирование прямых магнитостатических спиновых волн

    В данной работе рассматривается возбуждение прямых магнитостатических спиновых волн с помощью фемтосекундных лазерных импульсов в плёнке железо-иттриевого граната. Были исследованы частотные свойства такого вида колебаний, а также продемонстрировано детектирование распространения спиновых волн в плёнке образца. Из экспериментальных данных были оценены фазовая и групповая скорости прямых спиновых волн, которые хорошо соотносятся с теоретическими расчётами.

  • Спиновые свойства сильноскоррелированного Холловского ферромагнетика при ν от 1/3 до 1

    В данной работе экспериментально исследованы корреляционные и обменные энергии квантового эффекта Холла в сильнокоррелированном случае при факторах заполнения от 1/3 до 1. Так же нами было обнаружено новое спин-ротонное возбуждение. 

  • Плазменный отклик металлической “решётчатой” метаповерхности на подложке

    Экспериментально исследовано пропускание электромагнитного излучения через кремниевую подложку с напылённой с одной стороны квадратной металлической сеткой. Установлено, что электродинамический отклик структуры эквивалентен возбуждению в ней поперечной электромагнитной плазменной моды с плазменной частотой, определяемой геометрическими параметрами решётки, толщиной подложки и её диэлектрической проницаемостью. 

  • Особенности отклика новых двумерных систем на микроволновое излучение в сильных магнитных полях

    В данной работе изучался отклик слоистых структур графена и материальных систем с его участием на субтерагерцовое излучение в режиме квантового эффекта Холла в сигнале изменения сопротивления и фотонапряжения. Продемонстрировано влияние эффекта квантового эффекта Холла в сигнале изменения сопротивления под воздействием СВЧ излучения. Подробно изучен образец однослойного графена на предмет наличия электронного парамагнитного резонанса в широком диапазоне g-факторов.

     

  • Измерение ультрадлинных времен релаксации сигнала фотоиндуцированного резонансного отражения в квантово-холловском диэлектрике при факторе заполнения n = 1/3

    Изучена временная динамика сигнала фотоиндуцированного отражения при дробном факторе заполнения двумерных электронов n=1/3 в GaAs квантовой яме при гелиевых температурах T~0.6K. Продемонстрирована методика измерения времен ултрадлинных релаксаций нейтральных возбуждений в лафлиновской жидкости при помощи счётчика фотонов и ПЗС матрицы вплоть до ~1000 секунд.

  • Локально-резонансные характеристики нелинейных изгибных колебаний тонкой пластины на подложке

    Данная работа посвящена исследованию волновых свойств упругих двумерных локально-резонансных метаматериалов с существенной нелинейностью аналитическими и численными методами. Исследуемая система состоит из тонкой массивной пластины, лежащей на упругой подложке с регулярными выступами. При этом, рассмотрено несколько приближений силы взаимодействия. Во-первых, это линейный случай. Во-вторых, исследовано два предельных нелинейных случая: взаимодействие Герца и виброударное взаимодействие.

  • Влияние потока неравновесных фононов на сверхпроводимость в эпитаксиальном нанопроводе InAs/Al

    Исследуются полупроводниковые нанопровода InAs с участком, покрытым эпитаксиальным Al сверхпроводником цилиндрической формы. Работа посвящена исследованию коллапса сверхпроводимости при независимом нагреве транспортным током, протекающем через нанопровод, и потоком неравновесных фононов путём нагрева одного из концов нанопровода.