Секция посвящена современным направлениям исследований в полупроводниковой отрасли и фотонике, теоретическим и экспериментальным исследованиям в микро- и наноэлектронике, а также моделированию, разработке и применению технологий интегральной микроэлектроники.
Формат проведения: очный
Дата и время проведения: 1-3 апреля с 10:00-15:00
Место проведения: Зеленоград, ул. Академика Валиева, д. 6 стр. 1
В работе было выполнено моделирование селектора ReRAM на основе MIM диода с использованием TiN в качестве электрода и различных материалов диэлектрика (Ta2O5, TiO2, Si3N4). Для туннелирования в MIM структуре в области напряжений, не превосходящих высоту потенциального барьера (V < φ/e), используется модель Direct Tunneling. Для случая V > φ/e применяется Fowler–Nordheim Tunneling. Полученная в результате моделирования ВАХ показала соответствие с теоретическим расчетом.
Работа посвящена предсказанию движения 20 углов суставов бионического протеза. Осуществлен переход от задачи классификации жестов протезного устройства к задаче регрессии. Для решения задачи был использован нейросетевой алгоритм на основе сверточной нейронной сети.
ЭМГ‑данные были получены с помощью датчика Myo Armband от Thalmic Labs новаторским стартапом ALVI Labs. За baseline также взят нейросетевой алгоритм ALVI Labs.
В данной работе рассматривается система быстрых тестов это узконаправленные тесты, созданные для валидации корректности файлов, а также различных инструментов PDK которые позволят сформировать обратную связь разработчикам после сборки или компиляции комплекта средств проектирования.
В работе приведены результаты моделирования энергопотребления устройства, выполняющего операции шифрования AES-128
Работа посвящена разработке алгоритмов импедансной спектроскопии для стационарного режима мемристоров с биполярным переключением.
Разработана методика измерений массовых долей элементов методом атомно-абсорбционной спектрометрии с электротермической атомизацией в пробах покрытия антиотражающего, обеспечивающего отсутствие отраженного света в слое фоторезиста при проведении процесса фотолитографии с лазерным излучением 248 нм. Представлено краткое описание принципа метода, требования к нему и характеристики.
В работе рассматривается каскадный код, корректирующий ошибки в словах матрицы памяти, а также проводится сравнение данного кода с другими типами самокорректирующихся кодов.
В работе представлена корректировка модели плазмы HBr для реактивно-ионного травления полупроводниковых материалов и кремния. Основная цель — устранение недостатков предыдущих исследований, связанных с константами скоростей гетерогенной гибели атомов и постулированием постоянной температуры газа. Был применен прямой алгоритм расчета на основе зондовой диагностики. Учет давления и мощности улучшил согласование с экспериментом по концентрации атомов водорода.
Работа посвящена исследованию и разработке модели проявления фоторезиста DK1081B6, используемого в технологии проектной нормы 180 нм.
В данной работе проводится исследование влияния толщин разработанных отечественных литографических материалов для длины волны 193 нм на окно процесса фотолитографии.
Данная работа посвящена моделированию элемента хранения ReRAM на основе HfO2 с помомошью САПР SENTAURUS TCAD на основе языка Alagator.
Используя специально приготовленные тестовые транзисторные структуры выполнены экспериментальные измерения проводимости, подвижности зарядов и диэлектрической проницаемости пленочного полупроводникового материала IGZO. Получены и исследованы ВАХ экспериментальных тестовых транзисторных структур. В процессе работы были созданы экспериментальные образцы печатных слоёв, пригодных для последующей разработки полевых транзисторов и протестированы их основные характеристики
В работе представлены результаты синтеза и исследования мемристорных структур Ag/Cu−Ag/a-Si/BL/p++-Si, где в качестве барьерного слоя(BL-barrier layer) использованы слои SiOx или ZrO2:Y2O3, полученные методом магнетронного распыления, взамен традиционного i-SiOx.
Молекулярное моделирование и расчет структурных и механических свойств low-k диэлектрика на основе пористого аморфного оксида кремния с добавлением бензольных и метильных групп.
Исследование влияния подслоя из титана на ресурс переключения элемента хранения на основе HZO, с помощью двухэтапного эксперимента - для стандартной и увеличенной толщин сегнетоэлектрика.
Исследуется влияние технологического разброса параметров a-Si:H ТПТ на характеристики устройств. Проводится анализ причин разброса, обосновывается необходимость разработки методов компенсации, предлагается их разработка на основе моделирования методом Монте-Карло.
В работе представлена разработка методов оценки оптических квантовых состояний с использованием неидеальных инструментов детектирования. На примере сжатых когерентных состояний было проведено исследование влияния “мертвого времени” и эффективности детекторов на точность восстановления квантовых состояний.
Диагностика сердечно-сосудистых заболеваний на основе электрокардиограммы требует значительных временных и трудовых затрат. Для решения данной проблемы предлагается использование нейросетевого алгоритма для обработки и последующей классификации патологии на основе исходных данных. На основе известных методов из сигнала ЭКГ строятся отдельно псевдофазовый портрет и векторкардиограмма. Далее по ним происходит извлечение признаков и формируется классификация входных данных по типам заболеваний.
Вданной работе исследуются тонкие пленки (толщиной порядка 50нм) оксидов гафния и циркония, полученные процессом атомно-слоевого осаждения.
В работе исследуется влияние управляющих параметров реактивно-ионного травления (РИТ) на пространственную однородность плазмы в реакторе индуктивно-связанной плазмы. На основе двумерной модели плазмы Ar + Cl2 показано, что давление, скорость потока газа, вкладываемая мощность и состав смеси существенно влияют на распределение концентрации и температуры электронов, что важно для оптимизации технологических режимов РИТ.
Паразитные элементы в резисторах оказывают нежелательный эффект на их характеристики. Они возникают между компонентами схемы или подложки, в случае игнорирования паразитных факторов могут возникнуть ошибки в расчетах и проектировании. По мере уменьшения размеров структур и расстояния между ними паразитная емкость увеличивается, следовательно, ее влияние на схему становится больше.
Спрос на микроэлектронные устройства для военной промышленности, солнечной энергетики и бытовой техники стимулирует развитие отрасли. Ключевой процесс — очистка 1,2-трансдихлорэтилена (1,2-TDE), основного прекурсора для производства плат. Метод пленочной дистилляции обеспечивает чистоту до 100 ppt, превосходя зарубежные аналоги. Использование 1,2-TDE улучшило качество травления и полировки плат. В работе реализована малолитражная очистка, показавшая увеличение чистоты на 7 порядков.
В данной работе представлена разработка малогабаритной УВЧ радиометки на основе электрически малой антенны PIFA с размерами 23 × 23 × 3 мм, сохраняющей работоспособность при нагревании до 250 °C и обеспечивающей считывание на расстоянии более 1 метра
В рамках данной работы предложена самоcогласованная 0-мерная модель индуктивно-связанной плазмы состава HBr/Cl2/Ar. Проведено исследование влияния состава плазмообразующей смеси на параметры плазмы, а так же сравнение расчётов модели с экспериментом. Для повышения точности модели была проведена оптимизация констант скоростей реакций, не имеющих экспериментальных значений.
В работе представлены результаты исследования морфологии поверхностей и элементного состава нижних электродов TiN и TaN. Сравнительный анализ морфологии электродов проводился методами профилометрии и атомно-силовой микроскопии, исследование элементного состава выполнено на основе оже-спектрометрии.
В работе представлена модель силового вертикального МДП транзистора щелевого типа на основе GaN. На основе поведения модели анализируется влияние конструктивно-технологических параметров на напряжение пробоя.
Объектом исследования являются микросхемы FeRAM, которые проциклили до 9*10 в 8 циклов переключений. По результатам исследований подтверждается, что с увеличением длительности отжига, имитирующего длительное хранение, снижается возможность перезаписи хранимого состояния на инверсное.
В работе рассматривается явления анапольного и гибридного анапольного состояния для метаповерхностей и как их можно применять для детектирования наночастиц. Была введена величина видность и посчитана для золотых наночастиц, расположенных на периоде решетки метаповерхности.
в работе исследовались волноводные свойства линейных цепочек сферических частиц Cu, Au, Ag и Al при возбуждении крайней частицы цепочки внешним коллимированным электромагнитным излучением, поляризованным паралельно оси цепочки, были найдены радиусы и длины волн наиболее близкие к условию резонанса и для них построенны графики распрелеления наведенных токов в цепочках
Работа посвящена разработке чип-модуля с индукционным типом связи для повышения надежности смарт-карт, таких как банковские карты и ID-документы. Исследование включает теоретические расчеты, моделирование в CST Studio Suite и экспериментальную проверку прототипа.
В данной работе в однопольном приближении рассчитаны собственные моды периодической круговой цепочки сферических частиц.
Общая формула проиллюстрирована на примере димера и ансамбля из четырех частиц.
В работе представлено численное моделирование распространения излучения в гибридном волноводе с тонким слоем карбоксилированных углеродных нанотрубок. Исследовано поведение излучения в структуре в зависимости от её параметров, произведена оценка чувствительности гибридного волокна к различным газам. Разработана модель чувствительного элемента.
В работе представлена модель фотонной интегральной схемы компонентов оптического гироскопа. Волновод имеет подложку, выполненную из оксида кремния - SiO2 и саму сердцевину из кремния - Si. В работе исследуются зависимости энергетических потерь, а также показателей преломления и поглощения от параметров волновода.
Исследование направлено на поиск методов, улучшающих точность моделей компьютерного зрения в задаче коррекции эффектов оптической близости в проекционной фотолитографии. На собственном датасете изображений топологических файлов для проектной нормы 32 нм были обучены модели попарного переноса изображений. Для устранения артефактов на границах топологических элементов были протестированы дополнительные функции потерь, направленные на улучшение точности контуров объектов.
В работе впервые обнаружена электролюминесценция в МДП-структурах с квантовыми точками InAs/GaAs, выращенными газофазной эпитаксией при атмосферном давлении, не связанная с протеканием сквозного тока через диэлектрик. Исследование температурных и частотных характеристик доказывает, что механизм возникновения электролюминесценции связан с формированием инверсионного слоя на границе раздела диэлектрик-полупроводник при соответствующей полярности внешнего напряжения.
Ссовременные задачи в области машинного обучения требуют значительных вычислительных мощностей и энергии, что делает проблему энергозатрат и масштабируемости особенно актуальной. Архитектуры на базе фотоники показывают перспективы в умножении матриц, однако их эффективность ограничена потерями в системе, которые растут с увеличением размера матриц. Оптимизация компонентов фотонной интегральной схемы и оптимизация архитектуры необходимы для повышения производительности и точности вычислений.
Используя квантово-механический подход на основе теории возмущения функционала плотности рассчитан фактор Дебая-Уоллера для различных кристаллических фаз оксида гафния и циркония. Фактор рассчитывается отдельно для каждого типа атомов в элементарной ячейке.
Представлены результаты расчета из первых принципов термодинамических свойств гексагональной и кубической фаз рутения с использованием квазигармонического приближения.
Целью работы является предсказание эволюции характеристик мемристора с использованием методов глубокого обучения.
Было проведено моделирование дифракционной решётки ввода-вывода излучения в специализированном программном пакете, реализующем метод конечных разностей во временной области (FDTD). В рамках работы были смоделированы два типа решёток: 2D решётка и 3D фокусирующая решётка с адиабатическим расширителем. Варьировались параметры решёток для достижения максимальной выходной мощности.
В работе моделируется многоуровневая ячейка оптической памяти на основе фазовоизменяемого материала Ge₂Sb₂Te₅ (GST) с использованием метода FDTD. Исследуется влияние состояния GST и интеграции кольцевого резонатора на оптические характеристики системы. Результаты подтверждают возможность создания высокоскоростных и энергоэффективных устройств памяти.
В работе исследуется возможность аэрозольной чернильной печати слоёв IGZO с использованием методов поверхностного синтеза из истинных растворов нитратов (In-Ga-Zn). В работе прдествалены оптические снимки и РЭМ полученных слоёв IGZO, с последующим измерением их толщины и оценки морфлогии поверхности.
В данной работе приводятся примеры определения параметров отдельных элементов ФИС, таких как волноводы разной конфигурации, интерферометры, MMI, микрокольцевые резонаторы, параметры участков ввода-вывода с помощью OBR и OVA (Optical vector analyzer). Таким образом, возможно установить расположение элемента на ФИС, положение наибольших отражений и ввода/вывода.
Работа посвящена исследованию конструктивно-технологических методов по созданию элементов интегральной оптики на нитриде кремния.
Работа посвящена технологии формирования волноводных структур и кольцевых микрорезонаторов на основе нитрида кремния
В настоящем исследование проводилось изучение способов повышения стабильности получаемых данных с оптического интеррогатора на основе дифракционных волноводных решеток (ДВР). В ходе исследования при использовании широкополосного поляризованного источник (СЛД) была выявлена значительная поляризационная чувствительность ДВР на ФИС, которая может быть снижена за счет использования деполяризаторов или ASE. Дополнительно, предложены несколько методов повышения стабильности интеррогатора.
Приведены результаты моделирования модуляторов Маха-Цендера на основе различных материалов для эффекта дисперсии плазмы на обеднении PN перехода при фиксированной геометрии. Методами компьютерного моделирования выполняется оценка вносимого поглощения и эффективности модуляции для материалов InP, GaAs, Si для различных напряжений смещения при различных длинах волн.
Рассматривается метод оценки дозовой ошибки литографического оборудования, основанный на анализе сдвига и ширины функций плотности распределения размера при различных значениях дозы. Так же в работе проведена серии вычислительных экспериментов, по генерации ошибок согласно заложенным функциям распределения.
В данной работе используется мультимодальная система диагностики заболеваний по сигналам ЭКГ. Она не только позволяет достить точности на уровне SOTA, но и предоставляет интерпретируемые данные, что позволяет использовать данную архитектуру в реальной медицинской практике