На секции представляются новейшие перспективные направления развития отечественных фотоэлектронных технологий, связанные с регистрацией оптических сигналов в инфракрасном и ультрафиолетовом диапазонах спектра, созданием современной элементной базы опто- и фотоэлектроники, рассматриваются вопросы внедрения инновационных технологий.
Формат проведения: очно-дистанционный
Дата и время проведения: 03.04.2025 в 10.00
Место проведения: Москва, ул. Косинская, д.9 (АО "НПО "Орион")
Проведен анализ критериев качества и осуществлено изучение возможного влияния степени выраженности различных факторов на качество распознавания и точность работы алгоритмов. В частности, подготовлены наборы данных, получена эмпирическая зависимость величины ошибки распознавания (в режиме верификации) от величины интегрального показателя качества изображения лица человека.
Данная работа посвящена исследованию темновых токов фотоприёмников на основе кадмий-ртуть-телура в зависимости от материала использованной подложки. Рассмотрены методы оценки вкладов различных механизмов образования токов в p-n переходах.
Исследованы электрофизические свойства тонких пленок поликристаллического кремния (ПКК), полученных LPCVD для элементов отрицательной обратной связи в кремниевых фотоумножителях. Изучено влияние технологии осаждения на проводимость пленок, проанализированы вольт-амперные характеристики и структура. Обнаружено влияние материала электрода на ВАХ. Показана перспективность поперечной проводимости ПКК для ООС, требующая дальнейшей оптимизации технологического процесса.
В работе представлено формирование топологического рисунка при изготовлении матричных фоточувствительных структур на основе коллоидных квантовых точек. Использование двухслойной маски фоторезистов позволило уменьшить количество дефектов, возникающих в процессе «взрывной» фотолитографии. Проведены процессы фотолитографии по фоточувствительной структуре. Применение разработанных режимов технологических процессов не привело к ухудшению электрофизических характеристик.
В работе были получены коллоидные квантовые точки HgTe на основе прекурсора HgCl2 и тиоционатного комплекса ртути методом горячей инжекции. Были исследованы их спектральные характеристики и фотоэлектрические характеристики тонких пленок на основе полученных ККТ HgTe.
Авторами аппробирована новая методика измерения характеристик отрицательной обратной связи (ООС) твердотельных фотоумножителей (ТФУ). Главным преимуществом методики является возможность проверки качества ООС на базе упрощённой конструкции фотодиода за счёт эмуляции лавинного процесса. По результатам анализа полученных экспериентальных данных выяснилась необходимость доработки эквивалентной схемы, взятой из литературных источников, для корректного описания поведения ООС в исследуемом ТФУ
Цель данной работы – создать гибридный метод обработки изображений на основе медианного и усредняющего фильтров. Новый фильтр должен одинаково хорошо обрабатывать как данные с шумом "соль-перец", так и данные с белым шумом, а также быть менее ресурсозатратным, чем медианный фильтр.
Описан метод Time Over Threshold (TOT), использующий импульсный синусный формирователь, в основе которого лежит математическая функция приподнятого косинуса (ФПК). На основе ФПК создан импульсный синусный формирователь с заданным временным откликом, обеспечивающим однозначную зависимость длительности ТОТ импульса от входного заряда. Ошибка метода составляет около 0,3%, за счет оптимальной спектральной фильтрации в ФПК.
В данной работе представлено описание исследовательской установки для измерения быстродействия и фоточувствительности фотодетекторов на основе коллоидных квантовых точек (ККТ), позволяющей проводить измерения в широком спектральном диапазоне при импульсной засветке с длительностью от 500нс до единиц секунд. Также в работе представлены результаты измерения и обработка полученных данных для одного из полученных образцов.
В данной работе проведено исследование полноты и кинетики замещения лигандных оболочек в тонких пленках на основе коллоидных квантовых точках селенида ртути с применением ИК-Фурье спектроскопии. Экспериментально доказано, что эффективность замещения и спектральные характеристики материала зависят от природы используемых лигандов и растворителей.
В рамках исследования проведен анализ результатов измерений характеристик узкополосных оптоволоконных фильтров отечественного производства.
В данной работе рассматривается проблема повышения качества изображений, получаемых с помощью оптикоэлектронной техники. Основное внимание уделяется разработке алгоритма деконволюции, который позволяет улучшить резкость и четкость изображений.
Проведен анализ природы возникновения компонентов темного тока лавинных фотодиодов (ЛФД) на основе кремния. Предложена модель темновых токов, учитывающая особенности их формирования в ЛФД. Разработана конструкция стенда автоматизированного измерения ВАХ ЛФД на пластине