Конференции

66-я Всероссийская научная конференция МФТИ

Список разделов ФЭФМ - Секция микроэлектроники

На секции рассматриваются самые современные процессы и направления полупроводниковой индустрии, организация и проведение теоретических и экспериментальных исследований полупроводниковых микро- и наноструктур, а также моделирование, разработка и применение микро- и наноэлектронных схем и технологических процессов их создания.

 

Формат проведения: Очный

Дата и место проведения: 03.04.2024 и 04.04.2024 в 10:00, город Москва, город Зеленоград, ул. Академика Валиева, д. 6 стр. 1

  • Особенности моделирования оптического изображения в фотолитографии для проектных норм 90 нм и 28 нм

    Работа посвящена исследованию границ применимости гибридного метода Хопкинса-Аббе при расчёте распределения интенсивности на поверхности фоторезиста для слоёв первой металлизации проектных норм 90 нм и 28 нм.

  • Исследование процесса травления затворного слоя с разработкой компактной модели для его описания

    В работе был изучен процесс травления и разработаны две компактные модели для его описания. Первая модель основана на методе компактного полуэмпирического моделирования, вторая ̶ на основе машинного обучения. При построении моделей использовался набор измерений из 187 тестовых структур затворного слоя для проектной нормы 28нм. Проверка и сравнение моделей осуществлена на наборе из 20 тестовых структур.

  • Моделирование сегментированных и несегментированных стыковочных конвертеров в технологии SiON

    В данной работе проведено моделирование несегментированных и сегментированных стыковочных конвертеров в технологии SiON, получены зависимости потерь при конвертации от топологических параметров конвертеров обоих типов. Найдены топологические параметры сегментированных конвертеров при различных оптических контрастах, при которых достигаются потери при конвертации менее 0,5 дБ.

  • Структурная схема ядра цифрового нейроморфного процессора

    В работе была предложена структурная схема цифрового нейроморфного процессора реализующего модель  LIF нейрона

  • Расчёт компактного селектора ReRAM на основе туннельного диода

    В работе было произведено моделирование селектора ReRAM на основе структуры TiN-Ta2O5-TiN и получены его вольтамперные характеристики

  • Моделирование процессов резистивного переключения в многофиламентарных ячейках RRAM на основе оксидов металлов

    Работа посвящена экспериментальному иследованию процессов резистивного переключения в многофиламентарных ячейках RRAM на основе TiOx и HfOx, а также моделированию процессов плавного переключения из низкоомного в высокоомное состояния и невоспроизводимости сопротивления в высокоомном состоянии с точки зрения гипотезы многофиламентарного переключения.

  • Устройство фотонного блокчейна LightHash

    В данной работе теоретически описана схема и принцип работы фотонной интегральной схемы (ФИС) LightHash. Проведён подробный анализ возможностей специализированных ФИС для исполнения криптоалгоритмов.

  • Способы реализации генераторов запутанных состояний фотонов на ФИС

    “Работа посвящена исследованию способов реализации генератора запутанных пар фотонов методами интегральной фотоники”

  • Исследование влияния управляющих параметров на физико-химические свойства плазмы Cl2/Ar в процессе травления поликремния

    Предложена 0-мерная модель, использующая результаты зондовой диагностики в качестве входных параметров, основанная на уравнениях химической кинетики и квазинейтральности плазмы в стационарном приближении. Выходными параметрами являются концентрации активных частиц плазмы и их потоки на поверхность пластины.

  • Применение современных моделей нейросетевых детекторов для поиска и обнаружения дефектов на SEM-изображениях

    Работа посвящена исследованию точности и производительности нейросетевых детекторов в задаче поиска дефектов фоторезистивной маски в затворном слое транзистора для проектной нормы 28 нм. 

  • Моделирование ресурса структур энергонезависимый памяти

    Работа посвящена моделированию накопления ошибок в энергонезависимой памяти с кодом Хемминга, возникающих из-за паразитных эффектов, которые ограничивают ресурс памяти.

  • Способ статистического обучения нейросети для реализации на элементной базе с ограниченным ресурсом переключений состояний

    В данной работе продемонстрирован новый подход к обучению и инференсу (использованию после обучения) нейронной сети  с ограниченым ресурсом перезаписи состояний на примере мемристорной матрицы.

  • Расчёт вероятности возникновения множественных ошибок при циклировании в словах матриц памяти ReRAM в зависимости от выхода годных ячеек

    В работе для матрицы размера 4 Кбита методом Монте-Карло была промоделирована зависимость вероятности возникновения ошибки для различных процентов выхода годных для слов размером 8, 16 и 32 бита. Получены вероятности возникновения одиночных и множественных ошибок. Сделаны выводы о том, как снизить вероятность отказа.

  • Разработка двухэтапного нейросетевого алгоритма классификации жестов кисти руки по электромиографическим сигналам

    Работа посвящена разработке двухэтапного алгоритма классификации жестов кисти руки по электромиографическим сигналам. Алгоритм,
    обрабатывающий спектрограммы ЭМГ сигнала на основе сверточной нейронной сети, обучен
    и протестирован с использованием открытой базы данных.

  • Разработка алгоритма сегментации для улучшения точности методов машинного обучения классификации активностей человека

    В работе на основе ЭМГ и ЭКГ сигналов решается задача классификации активностей человека методами машинного обучения. Выполняется сравнение двух мультимодальных методов, а также проверяется гипотеза об улучшении качества работы модели методом сегментации классов.

  • Оценка допусков на линейные размеры элементов рисунка фотошаблона посредствам моделирования литографического процесса

    Рассматриваемый в данной работе метод позволяет произвести оценку компонент допуска на КЛР элементов рисунка фотошаблона (MTTδl и Rangeδl), обусловленных чувствительностью литографического процесса к ошибкам дозы и фокусировки при заданном значении ELtool – ошибки инструмента. Для экспериментального определения значения ELtool предложена методика с применением специализированного тестового фотошаблона, организованного по принципу «Picked CD».

  • Эффект стоячих волн в фоторезистивной маске и разработка метода для его компенсации

    Целью данной работы являлась проверка применимости компактного моделирования при согласовании толщин фоторезиста и антиотражающего покрытия.

     

     

     

     

     

  • Использование AWG-демультиплексоров для уменьшения требований к компонентам фотонных АЦП

    Проведен анализ исследований на тему принципов работы, характеристик и реализаций фотонного аналогово-цифрового преобразователя и пределов характеристик АЦП на основе кремниевой электроники. В рамках подготовки к моделированию AWG-демультиплексора и фотонного АЦП определены основные параметры модели AWG-демультиплексора.

  • Влияние тонкой вставки титана и оксида титана на характеристики резистивного переключения мемристора на основе HfO2

    Работа посвящена изучению влияния тонких вставок титана и оксида титана на электрофизические характеристики мемристоров на основе HfO2. Показано, что такие вставки положительно влияют на отношение сопротивлений и на напряжения переключения мемристоров. С целью лучшего понимания влияния вставок титана, проводится квантово-химическое моделирование как самого HfO2, так и границы раздела HfO2/Ti. 

  • Конструктивно-технологические особенности силовых HEMT на основе гетероструктуры AlGaN/GaN

    В работе исследуются конструктивно-технологические особенности силовых HEMT на основе гетероструктуры AlGaN/GaN. В процессе исследования измерены основные параметры силовых транзисторов и сделаны выводы о влиянии различных подходов к реализации GaN HEMT на их характеристики.

  • Улучшение эффективности проектирования объемных СВЧ меток через интеграцию методов машинного обучения

    Работa посвящена разработке объемных СВЧ меток с использованием нейронных сетей для подбора параметров антенн.

  • К вопросу о разработке комплексной модели поведения фоторезистов с химическим усилением в процессе фотолитографии на длине волны 193 нм

    Указанная работа посвящена разработке отечественного фоторезиста для длины волны 193 нм с целью создания комплексной модели его поведения в процессе фотолитографии, а так же его сравнению с иностраным аналогом.

  • Новые методы понижения неравномерности потерь AWG мультиплексоров

    В данной работе предложены две новые конструкции фазированной решётки волноводов, призванные компенсировать увеличение потерь на крайних каналах AWG мультиплексора по сравнению с центральным каналом. Проведено моделирование их выходных характеристик при различных геометрических параметрах, сравнение с существующими аналогами и сравнение результирующих спектров устройства.

  • Исследование датчиков и алгоритмов обработки сигналов мышц верхней конечности для очувствления протеза методом биологической обратной связи

    В работе ставится следующая цель – разработка нейросетевого алгоритма для классификации текстуры объекта, с которым соприкасается миоэлектрический протез предплечья. Данные, анализ которых позволяет производить классификацию, получаются с электромиографических (ЭМГ) датчиков, которые используются для управления современными бионическими протезами и располагаются в культеприёмной гильзе.

  • Разработка алгоритмов формирования сигналов для функциональной миостимуляции с применением технологий машинного обучения

    В работе рассмотрены различные методы извлечения признаков из ЭМГ сигнала с целью их дальнейшей подачи в нейросетевой алгоритм. Наиболее продуктивными показали себя полосовая фильтрация частот и метод частотной выборки.

  • Исследование и анализ воздействия нелинейных оптических процессов в кремниевых щелевых волноводных структурах

    Работа посвящена исследованию и моделированию нелинейных явлений в кремниевых щелевых волноводных структурах. Построенная модель анализируется с использованием таких вычислительных методов, как метод конечных элементов (МКЭ), метод конечных разностей во временной области (FDTD) и метод сингулярных возмущений (SPT), а также проводится оптимизация геометрических параметров устройства с помощью генетического алгоритма и методов машинного обучения

  • Оценка предельной дальности работы приёмопередающего устройства NB-IoT

    В работе приведены расчеты предельной дальности работы приёмопередающего устройства NB-IoT, которая будет использоваться при создании тестовых сценариев на этапе исследования микросхемы приёмопередающего устройства.

  • Разработка интегрального фотонного чувствительного элемента с применением углеродных нанотрубок

    Работа посвящена разработке интегрального фотонного чувствительного элемента  с применением углеродных нанотрубок. В работе представлено численное моделирование поведения излучения в зависимости от характеристик волновода и нанесённого слоя, представлена модель чувствительного элемента на основе интерферометра Маха-Цендера.

  • Численное моделирование индукционных катушек антенн для подземной идентификации инфраструктурных сетей

    Работа посвящена численному моделированию индукционных катушек антенндля подземной идентификации инфраструктурных сетей.

  • Low-k диэлектрики: особенности синтеза и методы интеграции

    В данной работе рассматривается механические характеристики low-k диэлектриков и особое внимание уделяется негативному влиянию характеристик понижающих диэлектрическую проницаемость на возможности их применения в современных производствах.

  • Методы повышения качества обслуживания трафика нагруженных сетей с применением высокоскоростного тракта обработки сетевых пакетов

    Виртуальные очереди
    QoS виртуальных очередей
    Арбитр коммутационной матрицы
    Pipeline - программирование
    Pipeline - сигнализация о виде проходящего трафика
    Алгоритмы опустошения очередей и портов
    Метод улучшения - многомерная матрица

  • Исследование методов оценки времени хранения логических состояний ячеек энергонезависимой памяти на основе кусочной аппроксимации деградационных зависимостей

    Исследованы зависимости логических состояний структур EEPROM и FeRAM  от времени при различных температурах. Проведены оценки надёжности структур. Предложен метод оценки времени хранения логических состояний ячеек энергонезависимой памяти на основе аппроксимации деградационных зависимостей. Проведено сравнение результатов до и после отжига ячеек памяти (ЯП). Выявлено, что в EEPROM деградация практически отсутствует, а в FeRAM прослеживается деградация из-за особенности структуры ЯП.

  • Теоретические основы расчёта бесчиповых печатных радиочастотных меток.

    Изучение теоретических основ расчёта бесчиповых печатных радиочастотных меток.

  • Электромагнитное моделирование миниатюрных многокомпонентных СВЧ модулей

    В работе исследуется влияние конструктивных элементов СВЧ тракта на характеристики миниатюрного приёмопередающего модуля. В результате исследования было получено амплитудно-частотное распределение паразитной излучаемой мощности для различных вариантов конструкции модуля.

  • Исследование возможности использования эффекта каналирования в технологии изготовления SiC силовых транзисторов

    В данной работе с использованием средств приборно-технологического моделирования исследуется конструкция SiC ДМОП-транзистора с областью заглубленного кармана p-типа, распределение которой основано на экспериментальных литературных данных.

  • Исследование влияния разводки транзистора на его характеристики для субмикронных Si КМОП технологий.

    В работе приведено построение и сравнение ряда характеристик для различных наборов топологий транзисторов и их разводок, а также представлены выводы о целесообразности тех или иных топологических решений разводки.

  • Электрически малая антенна на основе метаматериала с повышенным эффективным значением диэлектрической проницаемости.

    В работе предложен новый технологичный метаматериал на основе периодического массива цилиндров, внедренных в диэлектрическую подложку между двумя проводящими слоями, у которого, варьируя геометрические и физические параметры можно получать требуемое эффективное значение диэлектрической проницаемости метаматериала.