Конференции

66-я Всероссийская научная конференция МФТИ

Список разделов ФЭФМ - Секция физической электроники

На секции представляются новейшие направления развития отечественных фотоэлектронных технологий, связанные с регистрацией оптических сигналов в инфракрасном и ультрафиолетовом диапазонах спектра, с созданием физических основ квантовых излучателей, преобразователей и элементной базы опто- и фотоэлектроники, рассматриваются вопросы внедрения инновационных технологий.

 

Формат проведения: очно-дистанционный

Дата и место проведения: 04.04.2024 в 10:00, АО "НПО "Орион", г. Москва, ул. Косинская, д.9

  • Исследование влияния допирования иттрием на спектральные характеристики коллоидных квантовых точек сульфида свинца

    В настоящей работе исследовалось допирование иттрием ККТ PbS путем изменения доли иттрия в прекурсоре свинца (от 0% до 4% Y от кол-ва свница).

  • Влияние замены лигандов на характеристики тонких пленок созданных на основе коллоидных квантовых точек халькогенидов ртути

    В данной работе были исследованы характеристики тонких пленок коллоидных квантовых точек халькогенидов ртути относительно варьирования определенных параметров связанных с синтезом ККТ, способом переосаждения и создания тонких пленок.

  • Исследование процесса переноса носителей заряда в плотноупакованных слоях коллоидных квантовых точек перовскитов CsPbBr3

    Перовскитные коллоидные квантовые точки - перспективный материал для фотовольтаики. Для максимизации характеристик фотовольтаических устройств на основе перовскитных ККТ необходимо понимание механизма переноса носителей заряда и влияние особенностей синтезированных ККТ на этот процесс.

    Целью данной работы является изучение переноса носителей заряда в слоях перовскитных нанокристаллов с известной полидисперсностью методом pump-probe спектроскопии.

  • Исследование переноса возбуждения в коллоидных квантовых точках InP/ZnS, допированных марганцем

    В работе рассматривается механизм переноса возбуждения в коллоидных квантовых точках InP/ZnS, допированных марганцем, а также прилагаются результаты его исследования методами спектрофотометрии, стационарной и времяразрешённой спектрофлуориметрии.

  • Установка для исследования фотосенсорных характеристик фотодетекторов на основе ККТ в спектральном диапазоне 3-5 мкм

    В данной работе приводится описание разработанной установки, необходимой для исследования фотосенсорных характеристик фотодетекторов на основе коллоидных квантовых точек в спектральном диапазоне 3-5 мкм.

  • О зависимости эмпирических значений ширины запрещенной зоны CdHgTe от метода эпитаксиального роста

    В ходе данного исследования на основе контроля спектральных характеристик чувствительности фотомодулей на основе КРТ, разработанных и изготовленных в ГНЦ РФ АО «НПО «Орион», выведены формулы зависимости значений ширины запрещенной зоны КРТ от состава материала и температуры измерений, адаптированные под конкретный метод эпитаксиального роста.