В данной работе исследуется возможность повышения устойчивости к анодному окислению полотна из сверхдлинных углеродных нанотрубок (ПУНТ), используемого в качестве электродного материала для водных сернокислотных суперконденсаторов, посредством окислительной функционализации поверхности.

Исследован метод осаждения пироуглерода из газовой фазы на поверхность частиц сферического графита с применением СВЧ излучения. Проведены численные расчеты электромагнитных и гидродинамических параметров, влияющих на равномерность процесса осаждения. По экспериментальным и расчетным данным определены оптимальные скорость потока газа, мощность СВЧ излучения и геометрические параметры образца, способствующие контролируемому покрытию графита пироуглеродом.

В данной работе были получены мембраны монокристаллического алмаза толщиной от 10 мкм на основании толщиной более сотни микрометров. Проведены исследования по оптимальной форме и материаллу защитной теневой маски для глубокго травления алмаза.

Исследован метод осаждения пироуглерода из газовой фазы на поверхность частиц сферолизованного графита. По данным площади удельной поверхности и объёма пор в продуктах синтеза, а также микрофотографиям РЭМ, были определены оптимальные температура синтеза, источник углерода, время проведения синтеза, способствующие равномерному покрытию графита пироуглеродом

Рассмотрено применение СВЧ ОАВ-резонатора в качестве датчика высокого давления в алмазной наковальне.  Калибровка проводилось  двумя методами контроля давления: сдвиг линии КРС и сдвиг линии R1 люминесценции рубина. Установлена корреляция между частотными сдвигами акустических обертонов в резонаторе и измененем давления в алмазной наковальне в диапазоне 0 ... 30 ГПа. Чувствительность датчика равна $$\left|\frac{1}{\Delta P}\frac{\Delta f}{f}\right|=4.8·{10}^{-4}ГПа$$.

При помощи цифровой обработки микрофотографий остаточных отпечатков получены поля смещений поверхностного слоя образца. Сформулированы требования к подготовке образцов и условиям проведения фотографирования, позволяющие получать пригодные для построения полей дефформайий изображения.

В рамках работы были изучены флуоресцентные свойства углеродных наноточек (УТ), осажденных на нитевидные нанокристаллы (ННК) GaP и GaN. Проведено сравнение интенсивностей излучения УТ при осаждении на различные структуры III-V. Выяснилось, что пик излучения полученных гетероструктур лежит в диапазоне 604-654 нм. Флуоресценция УТ на поверхности ННК GaP оказалась в три раза интенсивнее, чем на ННК GaN. Результаты работы демонстрируют возможность добиваться высокой интенсивности флуоресценции УТ.

В работе представлены подходы к использованию вейвлет преобразований для обработки изображений, полученных во время индентирования по методу Виккерса, для повышения точности определения твердости материала. Также продемонстрирована возможность формирования 2.5D карты образца при использовании обратного преобразования.

В данной работе был исследован способ подавления фоновой проводимости нелегированного CVD алмаза, вызванной наличием акцепторной примеси бора в концентрации 0,05ppb, что ниже порога обнаружения всех оптических методов элементного анализа. Облучение образцов электронами высоких энергий значительно уменьшило проводимость образцов. А дальнейший отжиг позволил избавиться от остаточной проводимости.