Конференции

64-я Всероссийская научная конференция МФТИ

Список разделов ФЭФМ - Секция твердотельной электроники и радиофизики

Основные направления исследований на кафедре находятся в области нанотехнологий, сверхпроводниковой электроники, магнитоэлектроники, спинтроники, акустоэлектроники и радиофизический методов измерения электромагнитных полей. Подготовка кадров высшей квалификации также включает в себя вопросы в области информационных технологий, фотоники и волоконной оптики.

  • Эпитаксиальные структуры кремния с тонкими n- и p-слоями для ЛПД мм диапазона длин волн

    Разработана технология получения и получены образцы эпитаксиальных структур кремния p++p2p+p1n2n+n1n++-типа с тонкими высоколегированными слоями. На основе структур данного типа создаются ЛПД мм диапазона длин волн.

  • Отражение от СИС смесителя ПЧ сигнала

    Работа посвящена измерению уровня отражения от смесителя на основе туннельного перехода сверхпроводник – изолятор – сверхпроводник (СИС)  по выходному ПЧ каналу, когда смеситель находится непосредственно в рабочем состоянии, а именно при поданном напряжении смещения и при приложенном сигнале высокочастотного опорного генератора. ПЧ выход СИС-смесителя тестируется в диапазоне 0.1 - 0.9 ГГц. Измерения проводились с использованием векторного анализатора цепей. 

  • Исследование полупроводниковых свойств тонкопленочных структур на основе модификаций изатинов


    В работе были измеренны полупроводниковые свойства изатин-β-анил C14H10N2O (IβA) и фенилгидразон 5-бромизатина C14H10BrN3O (PHBI) под воздействием источников различных типов излучения (видимого и ультрафиолетового диапазона).

  • Метод оценки надежности пассивного устройства СВЧ микроэлектроники. Переключатель СВЧ диапазона по технологии 0,25 pHEMT GaN

    Данная работа подразумевает использование методологии расчёта температуры канала как инструмента описания надёжности пассивной интегральной микросхемы, в составе которой содержатся активные элементы в ключевом режиме.

  • Валидация нелинейной масштабируемой коммутационной модели pHEMT

    В настоящее время актуальной технологией является производство коммутаторов, аттенюаторов и фазовращателей СВЧ и КВЧ диапазона на основе HEMT гетероструктурных соединений GaAs и GaN, проектирование которых без модели активного элемента электрической цепи затруднительно. В основе статьи лежат особенности реализации масштабируемой нелинейной модели pHEMT, а особенности при валидации модели. Приведены сравнительные малосигнальные параметры реальных транзисторов и модели измененного масштаба.

  • К оценке влияния технологических погрешностей на частотные характеристики фильтров на поверхностных акустических волнах

    Рассмотрен способ оценки технологических погрешностей на частотные характеристики полосно-пропускающих фильтров на поверхностных акустических волнах (ПАВ) путем вариации параметров эквивалентной структуры трансверсального фильтра.

  • Автогенераторы СВЧ диапазона на основе ферритовых материалов для задачи обработки сигналов

    В работе рассмотрены автогенераторы на сферических и пленочных гиромагнитных резонаторах, проводится их сравнениепри использовании в современной СВЧ аппаратуре и обработке сигналов. В частности, для задачи резервуарных вычислений предпочтение отдается использованию пленочных автогенераторов с цепью обратной связи по сравнению с резонаторными, в том числе потому, что они могут быть реализованы в интегральном исполнении, в том числе с применением радиофотоники.

  • Эффект Фарадея и магнитный циркулярный дихроизм сверхтонких пленок ферритов-гранатов

    В данной работе представлены результаты исследования магнитного циркулярного дихроизма (МЦД) и ЭФ поликристаллических пленок ферритов-гранатов в зависимости от толщины пленки.

  • Регистрация и обработка магнитооптических сигналов при исследовании сверхбыстрых процессов

    В данной работе для повышения отношения сигнал/шум в канале регистрации магнитооптического сигнала использовано двухфазное синхронное детектирование. На программном уровне решена задача учета знака сигналов при переходе хотя бы одной из компонент через ноль. Таким образом, при двухфазном синхронном детектировании и дополнительной математической обработке результатов форма регистрируемого магнитооптического сигнала более релевантна, а отношение сигнал/шум повышается.

  • Исследование параметров шунтированных джозефсоновских переходов.

    В ходе работы были изготовлены и изучены шунтированные джозефсоновские переходы типа сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник (СИС), проведено численное моделирование и измерены их параметры (гистерезисность, характерное напряжение). Были получены переходы, характерное напряжение которых достигает 1мВ (характерная частота 500 ГГц).

  • Математическое моделирование и оптимизация параметров интегральных согласующих структур

    Были созданы две модели математического моделирования передачи субтерагерцового сигнала по сверхпроводящей согласующей структуре. СВЧ-сигнал, излучаемый генератором на основе распределённого джозефсоновского перехода, поступает на сосредоточенный джозефсоновский переход (СИС), выполняющий роль детектора. Обе структуры расположены на одной подложке, передаваемый сигнал распространяется по интегральной согласующей линии, параметры которой помогают оптимизировать построенные расчётные модели.

  • Детектирование терагерцевых электромагнитных волн с помощью проводящих антиферромагнетиков

    Исследована модель детектора терагерцевых электромагнитных волн, построенного на основе проводящего антиферромагнетика и тяжелого металла. Механизм резонансного выпрямления колебаний основан на обратном спиновом эффекте Холла в тяжелом металле при спиновой накачке из антиферромагнетика. Показано, что зависимость постоянного напряжения детектора от частоты носит резонансный характер с пиком, соответствующим частоте антиферромагнитного резонанса.

  • Формирование нитридных гетероструктур приборного качества на пластинах кремния

    Аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксией были сформированы нитридные гетероструктуры на подложках кремния. Определены условия контролируемого формирования кристаллической фазы β-Si3N4,необходимой  для успешного роста нитридных гетероструктур. Парциальное давление аммиака составляло менее 3·10–5 Торр. В результате были синтезированы нитридные гетероструктуры приборного качества со слоевым сопротивлением двумерного электронного газа 300 Ом/кв.

  • Реализация логических операций на основе структуры антиферромагнетик-тяжёлый металл под действием лазерных импульсов

    В работе предложен принцип реализации элементной базы на основе антиферромагнитных осцилляторов для воспроизведения логического "И" и логического "ИЛИ". Приведено описание структуры из трёх антиферромагнетиков, рассматриваемых в качестве нейронов, связанных слоем тяжёлого металла и возбуждаемых короткими пикосекундными лазерными импульсами разной амплитуды. Продемонстрированы результаты численного моделирования системы связанных уравнений, описывающих вышеназванную структуру.

  • Управление динамикой особой точки в структуре ферромагнитный диэлектрик/нормальный металл

    В данной работе мы описываем РТ-симметричные связанные магнитодипольным взаимодействием структуры ФМ/НМ с сильным спин орбитальным взаимодействием. Пропуская через слои НМ постоянный ток в разных направлениях, мы равномерно увеличиваем и уменьшаем амплитуды спиновых волн, распространяющихся в ФМ. В работе показана возможность смещения положения особой точки путём изменения величины и направления пропускания постоянного тока через тяжелый металл.

  • Исследование влияния магнитного поля на частоту резонанса в осцилляторе, выполненном на основе гематита

    В работе проведено теоретическое исследование влияния внешнего магнитного поля на частоту антиферромагнитного резонанса в гематите и на плотность критического тока в двухслойной структуре с гематитом в качестве активного элемента. На подобной структуре может быть построена схема детектора и генератора переменных колебаний терагерцовой частоты.

  • Диэлектрическая прочность сшитой тонкой пленки полиметилметаакрилата

    В работе изучена диэлектрическая прочность сшитого PMMA между двумя палладиевыми электродами. Образцы представляют собой два перекрещивающихся палладиевых электрода, разделенных тонкой пленкой полимера. Сшивание было достигнуто высокой дозой облучения пленки электронным пучком. Размер перекрывающейся области - 1x1 мкм, толщина пленки полимера - 90 нм. По результатам измерения ВАХ образцов были получены средние значения напряжения пробоя в 39.2 В. Полученная средняя прочность - 4.4 МВ/см.