Конференции

64-я Всероссийская научная конференция МФТИ

Список разделов ФЭФМ - Секция микроэлектроники

На секции рассматриваются самые современные процессы и направления полупроводниковой индустрии, организация и проведение теоретических и экспериментальных исследований полупроводниковых микро- и наноструктур, а также моделирование, разработка и применение микро- и наноэлектронных схем и технологических процессов их создания.

  • Замедляющая структура на основе печатной платы

    Предложена модель метаматериала, имеющий относительную диэлектрическую проницаемость равную 350, а также методика оценки его диэлектрической проницаемости.

  • Технология временного бондинга для кремниевых пластин диаметра 76 и 100 мм

    В ближайшие годы ожидается, что закон Мура о планарном структурировании перестанет выполняться. Поэтому, в настоящее время активно развивается трехмерная интеграция посредством применения технологии адгезивного бондинга, необходимой для решения многих задач. Например, таких, как создание TSV – структур (сквозные канавки в кремнии). 

  • Исследование влияния конструктивно-технологических параметров МДП-транзисторов на вид вольт-фарадных характеристик с помощью численного моделирования

    При проектировании изделий микроэлектроники, в основе которых лежит технология Кремний-На-Изоляторе, особенно важным становится контроль качества слоев транзистора, таких как скрытый и подзатвроный диэлектрики, пленка кремния. С большой точностью измерить конструктивные и электрические характеристики слоев прибора позволяет метод вольт-фарадных характеристик.

  • Исследование и реализация методов выборки тестовых структур для калибровки модели резиста

    В данной работе проводится сравнение выборок калибровочных тестовых структур, полученных разными методами: с помощью кластерного анализа, сеточного разбиения и встроенной в САПР функции.

  • Разработка метода экстракции контуров SEM-изображений для калибровки модели резиста в фотолитографии

    В данной работе была произведена экстракция контуров из SEM-изображений с помощью встроенных библиотек языка Python. В процессе работы были изучены различные методы калибровки резистивных моделей в фотолитографии. 

  • Управление полосой излучения светодиода путём изменения температуры

    В работе изучена зависимость ширины запрещённой зоны в полупроводниках, найден конкретный вид зависимости для светодиода на базе кристалла AlGaInP. Также в работе предложен способ реализации светодиодного излучателя, работающего на базе изученного явления.  

  • Оценка влияния геометрии N-кармана на временные характеристики стандартных ячеек

    В работе проведена оценка влияния размеров и формы N-кармана на временные характеристики стандартной ячейки. Рассмотрен маршрут исследования, выполнено моделирование и получены зависимости временных характеристик стандартной ячейки от геометрии N-кармана.

  • Проектирование топологии суб-100-нм аналого-цифровых ИС с учетом эффектов близости LDE

    В работе рассмотрены особенности топологического поектирования аналоговых ИС в технологии уровня 28 нм с учетом влияния LDE-эффектов. 

  • Моделирование транспорта носителей заряда в мемристорной структуре на основе нитрида кремния

    В работе выполнено моделирование транспорта носителей заряда в изготовленной мемристорной структуре и проведён сравнительный анализ с экспериментально полученными вольт-амперными характеристиками.

  • Сравнительный анализ механизмов проводимости в мемристивных структурах на основе нитрида кремния

    Нитрид кремния остается базовым материалом в наноэлектронике, что делает актуальным исследование мемристоров на его основе. Нами проведен обзор выявленных в современных работах механизмов и моделей проводимости, кратко рассмотрены физические принципы, положенные в их основу. Сделан вывод о необходимости разработки синтетической модели, валидной на всех участках петли гистерезиса вольтамперной характеристики, которая должна учитывать особенности нитрида кремния.

  • Исследование влияния эффекта рассогласования на КМОП интегральные схемы

    В данной работе изучен эффект локального рассогласования в КМОП интегральных схемах, получены ВАХ тестовых структур и обработаны результаты измерений. Определена закономерность распределения относительных разностей пороговых напряжений для парных транзисторов в зависимости от их размеров.

  • Исследование влияния параметров корпуса на характеристики СБИС UHF RFID метки

    Работа посвящена исследованию влияния конструктивных деталей пластиковых корпусов на входной импеданс высокочастотной СБИС в сравнении с импедансом бескорпусной микросхемы.

  • Исследование рекуррентных нейросетей для обработки сигналов механических узлов с энкодеров и управления экзоскелетом руки

    Проблемой является предсказание траектории движения экзоскелета, основанное на ЭМГ-сигналах и сигналах с энкодеров. Таким образом возможно учесть физические особенности конкретного пользователя. Применение методов глубокого обучения, а именно рекуррентная нейронная сеть, способно решить данную проблему.

  • Исследование вариационного автоэнкодера для обработки сигналов мышц с графеновых электродов и управления экзоскелетом руки

    В работе рассмотрена реализация выполнения проекта экзоскелета руки под управлением нейросетевых алгоритмов использующих электромиографический (ЭМГ) сигнал. Был проведен анализ материалов для изготовления электродов, обсуждены варианты выполнения архитектуры нейросети, а так же разработан динамический прототип экзоскелета, позволяющий снимать необходимые сигналы.

  • Струйная печать слоев PEDOT:PSS для органических электрохимических транзисторов

    В работе исследовали влияние модификации подложки на качество струйной печати функционального слоя на основе PEDOT:PSS и проводимость напечатанных структур.

  • Анализ уравнений модели для эффектов зависящих от топологии (LDE) в КМОП технологии

    В данной работе представлена разработка компактного модельного решения для эффектов близости (LDE) в КМОП технологиях с нормами проектирования 30нм и менее.

  • Материалы с изменяемой фазой для нанофотоники

    В работе рассматриваются основные свойства материалов с изменяемой фазой семейств оксидов переходных металлов и халькогенидных соединений, в частности, структуры различных фаз на примере оксида ванадия(IV) и теллурида германия. Описываются наиболее важные характеристики для разработки устройств нанофотоники на основе материалов с изменяемой фазой, а также приводится ряд примеров конкретного применения данных материалов в устройствах нанофотоники.

  • Расчёты остаточной поляризации и диэлектрической проницаемости диоксида гафния методами квантово-химического моделирования

    В работе представлены результаты квантово-химических расчётов остаточной поляризации и диэлектрической проницаемости различных кристаллографических модификаций диоксида гафния. 

  • Сравнительный анализ и моделирование интегральных оптических демультиплексоров

    В работе проведен сравнительный анализ и моделирование интегральных оптических демультиплексоров, построенных на различных физических и архитектурных принципах. Результаты работы позволяют оптимизировать выбор реализации демультиплексора для прикладных задач.

  • Карбид кремния

    В данной работе рассмотрены основные способы применения карбида кремния и возможности дальнейшего его использования.

  • Энергонезависимая память RRAM: преимущества и перспективы развития

    В данной работе приведен краткий обзор основных видов памяти, в частности, RRAM. Описаны основные преимущества и применения данного вида памяти. Подробно рассмотрен механизм резистивного переключения, а также обозначены ключевые перспективы и задачи для дальнейшего усовершенствования RRAM-памяти.

  • Моделирование изгиба кремниевой плавниковой наноструктуры

    В приведенной работе проводится моделирование механических свойств кремниевой fin-структуры нанометрового размера с учетом шероховатостей, возникающих на боковых гранях «плавника». Исследуемая структура применяется в различных областях микроэлектроники, в том числе, при изготовлении Fin FET. 

  • Литография

    Литография. Описание процесса.

  • Исследование радиочастотных характеристик согласованных нагрузок на поликоре

    В данной работе было проведено моделирование, изготовление и измерение радиочастотных характеристик тестовых копланарных линий передачи на основе Al2O3(поликор) с целью определения диэлектрической проницаемости материала (ε). Исследование изготовленных образцов проводилось с использованием зондовой станции, СВЧ – зондов и векторного анализатора цепей Agilent E8361 (ВАЦ). Измерения параметров рассеяния проводились при мощности падающей волны 0.05 мВт.

  • Исследование процессоров и нейроускорителей для обработки сигналов мышц и управления усиливающим экзоскелетом руки

    В данной работе рассмотрен проект по созданию усиливавющего экзоскета руки, который будет управляться обученной нейросетью. Был проведён анализ возможных управляющих систем. Подбор процессора и нейроускорителей ограничевается скоростью работы. Необходимо добится работы в реальном времени с минимальной задержкой.

  • Анализ распространения СВЧ-сигнала в фазовращателях

    В данной работе приведен краткий обзор устройства и особенностей работы некоторых типов современных фазовращателей, основанных на различных физических принципах. 

  • Акустооптические сенсоры на основе кольцевых резонаторов

    В работе рассматривается ультразвуковой детектор на основе микрокольцевого резонатора (MRR) для фотоакустической микроскопии (PAM). Среди большого разнообразия оптических методов обнаружения ультразвука именно микрокольцевый резонатор (MRR) считается наиболее перспективным решением. В работе приведена теоретическая справка работы MRR и описаны приемущества детектора MRR для анализа свойств оптического поглощения. 

  • Моделирование надежности интегральных схем методами машинного обучения на основе статистических данных их испытаний

    Разработка методик прогнозирования процесса
    деградации электрических параметров ИС. Выбор наиболее предпочтительного метода.

  • Исследование поведенческого модуля цифрового двойника интегральной микросхемы

    В данной работе исследуется поведенческий модуль цифрового двойника интегральной микросхемы при помощи нейросетевого моделирования

  • Эффективные пересечения волноводов в радиофотонных интегральных АЦП

    В данной работе рассмотрены наиболее эффективные модели пересечений интегральных волноводов, описанных в литературе. Моделирование производилось для диапазона длин волн от 1.30 до 1.65 мкм с шагом в 50 нанометров. Полученные результаты позволили выделить рабочую длину волны для каждого из пересечений, основываясь на минимальных потерях энергии излучения при прохождении через пересечение.

  • Феноменологическая модель самосборки

    В работе проводится моделирование самосборки блок-сополимеров. Рассматривается зависимость конечного результата самосборки от формы и размеров направляющей структуры, ее соразмерностью с длиной молекул блок-сополимера, а также от нейтральных/преференциальных свойств дна и стенок направляющей структуры.

  • Разработка программного модуля для поиска структур измерения контролируемых размеров на фотошаблоне

    В данной работе описан алгоритм поиска измерительных структур в рабочем кристале фотошаблона, и разработка инструмента для его реализации.

  • Подходы к генерации реалистичной серии переключений мемристора на основе экспериментальных данных

    Составление датасета из экспериментально полученных вольтамперных характеристик исследуемой мемристивной структуры является важным этапом в исследовании её свойств. Во многих случаях объем экспериментального набора данных оказывается недостаточным. Решением этой проблемы может являться генерация реалистичной серии переключений мемристора на основе уже имеющегося набора экспериментальных данных. В работе проводится обзор различных подходов к генерации новых данных, похожих на имеющиеся.