Секция рассматривает работы, в которых исследуются лазеры и приборы на их основе, в том числе гироскопы и лазерные-навигационные системы, свойства оптических материалов, распространение оптического излучения, новые методы и результаты измерений, испытаний и контроля оптических папраметров.
Формат проведения: очно-дистанционный
Дата и место проведения: 08 апреля 2023г., в 12:00 часов, МТИ, новый корпус, 219 НК
Проведен расчетный анализ влияния уровня легирования волноводных слоев на выходные характеристики полупроводникового лазера.
Внедрение атомов Mg в кристаллическую решетку GaN приводит к образованию ряда энергетических состояний в запрещенной зоне. Из проведенных экспериментов можно сделать вывод о наличии пороговой концентрации примесных атомов магния, при превышении которой происходит снижение концентрации дырок. Эволюцию образования примесных состояний в GaN:Mg можно наблюдать по их «оптическим отпечаткам» посредством фотолюминесцентной спектроскопии.
В нашей работе предлагается эффективный и малозатратный численный метод исследования модовой структуры диодного лазера. В предложенном методе производится модовая декомпозиция на некогорентные Эрмит - Гауссовые моды. Полученные результаты дают полную информацию о пространственной динамике профиля интенсивности лазерного пучка. Практический интерес заключается в том, что полученные результаты позволяют оптимизировать эффективность многомодовой оптической накачки.
В работе исследованы методы юстировки оптического резонатора с неплоским контуром и критерии оптимальной юстировки: добротность, амплитуда резонансного пика, резонанс по центру диафрагмы. Произведено 3d моделирование корпуса резонатора с учетом ошибок изготовления и численно найдено положение оптической оси. Экспериментально исследовано смещение оптической оси относительно центра диафрагмы при юстировке по различным критериям.
Оптические модуляторы являются ключевыми элементами оптических информационных систем. Среди возможных типов данных изделий, полупроводниковые модуляторы на основе квантово-размерного эффекта Штарка вызывают большой интерес для многих практических приложений.В данной работе проведена расчетная оценка параметров полупроводниковых гетероструктур GaInAs/AlInAs.
Данная работа посвящена бесконтанктному измерению температуры поверхности тел с помощью лазерной активации поверхности и последующей регистрацией фототермического излучения. Выведены основные формулы для нахождения температуры и произведено сравнение с экспериментальными данными.
Исследованы собственные поляризационные моды кольцевых резонаторов с неплоским контуром с учетом амплитудной и фазовой анизотропии резонаторных зеркал. Показано, что существует определенная зависимость между соотношениями параметров зеркал и степенью эллиптичности собственных колебаний резонатора. Определены весовые коэффициенты для фазовой анизотропии каждого зеркала, при которых эллиптичности поляризационных мод стремятся к единице. При этом разность добротностей мод стремится к нулю.
В работе исследуется влияние токов накачки на ненапряжённую структуру.
Работа посвящена исследованию фотолюминесценции Al-содержащих и Al-free гетероструктур, излучающих в спектарльном диапазоне 780-800 нм. В работе приводится сравнение технологических особенностей получения исследуемых гетероструктур методом МОС-гидридной эпитаксии, которые могут влиять на форму и интенсивность спектров фотолюминесценции.
Влияние нелинейности масштабного коэффициента на расчет ошибок автономной навигации по широте и долготе.
Метод определения знака топологического заряда пучка с дислокацией волнового фронта по динамике дифракционной картины, получаемой с помощью непрозрачного прямоугольного экрана.
В работе проведено исследование явления захвата частоты и гистерезиса на выходной частотной характеристике в зеемановских лазерных гироскопах в двухчастотном и четырехчастотном режиме генерации. Получены зависимости разности частот встречных волн от разности частот резонатора для двух различных гироскопов. При этом можно было ярко наблюдать явление гистерезиса и то, как сильно меняется ширина зоны захвата при измерениях, проводящихся со входом в нелинейную область характеристики.
В настоящей работе представлены результаты сравнительного анализа конструкций линеек лазерных диодов на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs (λ = 800-810 нм) на краевых активных элементах (полосках), проведенных по 4-м различным маршрутам формирования лазерных кристаллов.Показаны основные различия между маршрутами и найдены причины возникновения сопротивления после создания лазерной линейки.
В настоящей работе представлены результаты сравнительного анализа мощных квазинепрерывных (200 мкс, 20 Гц) РЛД с использованием 2-х различных типов монтажа РЛД на медную площадку корпуса: конструкция с использованием алмазного клея и паянную на индиевый припой.
