Секция посвящена области физики конденсированного состояния — фундаментальной физике (сильно коррелированные системы, полупроводники, сверхпроводимость, графен и Ван-дер-Ваальсовы гетероструктуры), прикладным исследованиям и материаловедению
Объектом исследования в данной работе являются интерметаллиды Tb0,16Ho0,84Fe2-xCox (x = 0,1; 0,2; 0,3; 0,4). При подготовке поверхности интерметаллидов для исследования доменной структуры (ДС) применялась механическая полировка на алмазных пастах. Было обнаружено, что вследствие такой обработки на поверхности шлифов формируется регулярная объемная микроструктура
Предложен новый подход к определению параметров двумерного электронного газа в квантовых ямах InGaN/GaN. В основе лежит метод терагерцовой спектроскопии с временн´ым разрешением, в рамках которого проводилась регистрация терагерцовых частот двумерных плазмонных резонансов, возбуждаемых в исследуемых образцах гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN фемтосекундными лазерными импульсами на длине волны 797 нм.
Для моделирования свойств высокотемпературных сверхпроводников в нормальной фазе был рассмотрен переход электронной системы, описываемой двумерной моделью Хаббарда в режиме сильных электронных корреляций, из парамагнитного в антиферромагнитное состояние. Также было исследовано поведение поверхности Ферми при этом переходе. Численный расчёт состояния системы проводился с использованием динамической теории среднего поля (DMFT).
Текстурирование кремниевых пластин–эффективный способ уменьшения внутреннего отражения света.Пассивация их поверхности путем нанесения тонких пленок снижает вероятность рекомбинации заряда на оборванных связях.Покрытие на основе SnO2,полученное золь-гель методом, благодаря мягким условиям растворной химии, обеспечивает образование пленки без появления других оксидов олова.При увеличении количества наносимых слоев покрытия повышается поглощение света и снижается поверхностное сопротивление.
Целью данной работы является изучение влияние модификатора на электрофизические свойства перфторсульфоной мембраны МФ-4СК. В связи с этим была проведена модификация мембраны. Были получены диэлеткрические спектры (температурно-частотные зависимости диэлектрических параметров) и ИК-МНПВО спкетры, на основе анализа которых были сделаны выводы о том, каким образом модификатор влияет на характеристики мембраны.
С помощью фотонного эха на заряженных экситонных комплексах можно создать долгоживущую оптическую память. В связи с этим необходимо регулировать знак зарядов в квантовой яме, например, с использованием надбарьерной оптической накачки. В данной работе было проведено исследование фотолюминесценции квантовой ямы GaAs / AlGaAs при надбарьерной оптической накачке.
Фотонное эхо является явлением, которое может быть использовано в основе квантового логического элемента. В настоящей работе изучается характер когерентной динамики методом четырехволнового смешения и фотонного эха от экситонов в квантовой яме AlGaAs/GaAs при оптической накачке непрерывным лазерным излучением. Строится теоретическая модель и проводится компьютерное моделирование для определения спектрального положение экситонного резонанса.
Групповым методом из раствора-расплава на основе тримолибдата висмута выращены монокристаллы HoFe2.5Ga0.5(BO3)4. Исследованы магнитные свойства в температурном диапазоне 4.2 – 300 К и магнитных полях до 9 Т. Установлено, что HoFe2.5Ga0.5(BO3)4 является антиферромагнетиком.
В данной работе сопоставляются эксперименты по получению протяженных наноструктур (наноцепочки и нанопроволоки) путем лазерных и электрических воздействий на конденсированные среды, приведшие к созданию новых методик формирования цепочек из наночастиц с рекордными длинами до 60 см и с фрактальной морфологией. Показана существенная роль турбулентных вихрей в формировании получаемых структур.
В работе исследовано гидратообразование метана в молотых замороженных растворах биодеградируемых гелеобразующих добавок: соевый лецитин, поливиниловый спирт, желатин.
Были получены снимки тонких пленок с целью установления влияния морфологии замороженных растворов на образование гидрата метана. Также, осуществлен расчет степени конверсии воды в гидрат по уравнению состояния Пенга-Робинсона, и выявлены системы с наибольшей скоростью и степенью формирования гидрата метана.
В работе были получены высокотемпературные датчики водорода на платформе MOSiC (металл-оксид металла-карбид кремния). Пленки оксида вольфрама создавались методом импульсного лазерного осаждения (PLD) в регулируемых условиях. Датчики имели существенную корреляцию газосенсорных свойств и морфологии, наноструктуры и химического состояния пленок оксида.Сенсорные характеристики образцов WOx/SiC и Pt/WOx/SiC анализировали с использованием амперометрических и потенциометрических измерений
Проводилось изучение структурных, морфологических и физических и электрохимических свойств гибридной структуры WS2/WO3/FTO с целью последующего изучения каталитических свойств при получении водорода. Данная структура была получена термохимическим сульфидированием нанокристаллических пленок оксида вольфрама.
В данной работе описана реализация сверхпроводящих сигма и гамма - нейронов, которые являются быстродействующими и энергоэффективными логическими элементами. Представляющие из себя двухконтурные интерферометрические структуры с Джозефсоновскими контактами.
Оксиселедиды висмута BiCuSeO являются одними из наиболее перспективных среднетемпературных термоэлектрических материалов, осуществляющих прямое преобразование тепловой энергии в электрическую. Эффективность данного преобразования энергии прямо пропорциональна электропроводности и коэффициенту Зеебека и обратно пропорциональна теплопроводности. Замещение висмута свинцом позволяет увеличить эффективность преобразования энергии в несколько раз за счет увеличения концентрации носителей заряда.
Экспериментально исследованы температурные зависимости спектров резонансного отражения света от лафлиновской жидкости в дробном состоянии 1/3. Показано, что линии резонансного отражения
света в условиях формирования дробного состояния имеют коллективную природу, а их энергии не подчиняются требованиям “скрытой симметрии”. Из спектров резонансного отражения измерены энергии
спиновых возбуждений в лафлиновской жидкости.
Соединение EuSn2As2 является антиферромагнитым топологическим изолятором с температурой перехода 24К. В данной работе измерены магнитная восприимчивость, магнитный момент в зависимости от температуры и поля, на основании экспериментальных данных построены магнитные фазовые диаграммы. Эксперимент ферромагнитного резонанса показал две резонансные моды, что согласуется с особенностью структуры данного соединения.
В данной работе реализована модификация тестов Тейлора по соударению стержня по наковальне для медных профилированных цилиндров. Был проведен микроструктурный анализ деформированных и недеформированных образцов.
В работе определялась эффективная константа магнитной анизотропии у наночастиц типа ядро@оболочка двумя различными методами. В первом эффективная константя анизотропии определялась из условий равенства энергии магнитокристаллической анизотропии и энергии тепловых флуктуаций. Во втором, константа рассчитывалась из аппроксимации кривых намагничивания по закону Акулова. Полученные данные показали высокую степень корреляции между собой.
В работе исследованы монокристаллы перовскита CsPbBr3:Er0.1. Из анализа спектров фотолюминесценции и отражения удалось установить положение экситонного резонанса, оценить продольно поперечное расщепление экситона и найти расщепление по энергии линейно-поляризованных экситонных состояний. В магнитных полях до 5 Тл наблюдалось зеемановское расщепление циркулярно-поляризованных компонент, с его помощью удалось найти g-фактор носителей в таких системах.
Синтезированы нано- и микроразмерный порошки LiTbF4 а также микроразмерный порошок LiDyF4. Магнитные свойства образцов исследовались экспериментально методами вибрационной магнитометрии в диапазоне температур 2-300 К и полей 0-90 кЭ а также теоретически диагонализацией одноионного гамильтониана. Для порошкового образца LiDyF4 при T < 7 K наблюдался магнитный гистерезис-"бабочка" в парамагнитной фазе и времена магнитной релаксации до десятков секунд.
Численное моделирвание деформирования профилированных медных образцов различной конфигурации при скоростях столкновения до 125 м/с.
Исследованы плазменные возбуждения в частично экранированных двумерных электронных системах на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs. Установлено, что в таких системах возбуждается особый тип двумерных плазменных волн – проксимити плазмоны. В случае электрического соединения двумерной системы и затвора возбуждается особая релятивистская плазменная мода, демонстрирующая ряд уникальных свойств, таких как нетривиальное магнитополевое поведение и зависисомсть свойств от внешней цепи.
В данной работе экспериментально исследован недавно открытый тип плазменных возбуждений в двумерной электронной системе — поперечные электромагнитные плазменные возбуждения. Работа посвящена исследованию взаимодействию таких плазмонов с резонансами Фабри-Перо диэлектрической подложки в «грязном» пределе, когда обратное время релаксации носителей заряда существенно меньше частоты, на которой производится наблюдение.
В данной работе была построена феноменологическая модель фазового перехода первого рода для сплавов La(FeSi)13 и исследовались термические, механические и полевые воздействия на магнитные свойства.
В 2ДЭС на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs в режиме ДКЭХ наблюдалось растекание магнитофермионного конденсата (коллективного состояния в ансамбле неравновесных спин-триплетных магнитоэкситонов) из пятна фотовозбуждения на макроскопические расстояния. Измеренная скорость распространения спиновых возбуждений составила ~ 25 м/с. Показано, что в транспорте плотности магнитоэкситонов на большие расстояния участвуют только те магнитоэкситоны, импульс которых близок к обратной магнитной длине.
