На секции представляются новейшие направления развития отечественных фотоэлектронных технологий, связанные с регистрацией оптических сигналов в инфракрасном и ультрафиолетовом диапазонах спектра, с созданием физических основ квантовых излучателей, преобразователей и элементной базы опто- и фотоэлектроники, рассматриваются вопросы внедрения инновационных технологий.
Цель исследования - определение профиля концентрации носителей заряда в гетероэпитаксиальных структурах на основе GaAs с множественными квантовыми ямами (КЯ) методом ECV.
Метод Ван-дер-Пау остается одним из наиболее востребованных методов контроля электрофизических характеристик полупроводниковых материалов и соединений на их основе.
Работа посвящена исследованию ростовых V-дефектов в структурах тройных твердых растворов кадмий-ртуть-теллур (КРТ). Исследования V-дефектов позволили охарактеризовать поликристаллические конгломераты высотой около 1 мкм и протяженностью от нескольких единиц до десятков мкм и выявить закономерность ориентации V-дефектов в одном направлении по поверхности исследуемых образцов. В ходе исследования показаны преимущества микроскопии при контроле полупроводниковых структур.
Системы распознавания, основанные на стандартных изображениях лиц, могут ошибочно принять некоторые области фона за лицо. Для решения данной проблемы рассматривается и прорабатывается технология использования 3д-сканера, которая позволяет довольно четко передать контуры лица без помех.
Для уменьшения вычислительной нагрузки и увеличения точности было предложено использования активного метода сканирования в комплексе с камерой.
В ходе проведенной работы сформированы фотодатчики на основе наноразмерного слоистого композиционного материала теллурид олова/восстановленный оксид графена, исследованы их характеристики и закономерности их изменений, а также исследована зависимость характеристик датчиков от их толщины.
Если учесть ударную ионизацию носителей в области пространственного заряда слоя поглощения, то можно определить предельно низкое значение туннельного тока при лавинном пробое гетероструктуры. Это позволяет более точно провести оптимизацию параметров структуры лавинных гетерофотодиодов (ЛГФД) с разделёнными областями поглощения и умножения (РОПУ), в том числе, наиболее предпочтительной типа «low-high-low» с нелегированным широкозонным слоем.
В данной работе представлены результаты моделирования зависимости длинноволновой границы спектрального диапазона чувствительности фотомодулей на основе КРТ от рабочей температуры фотоприемного устройства для различных способов изготовления гетероэпитаксиальных структур КРТ.
В проведенном исследовании разработаны расчётные модели диэлектрической проницаемости, показателя преломления, коэффициента поглощения тройного соединения AlGaAs на широком диапазоне состава соединения, а также бинарных соединений GaAs.
В исследовании решено стационарное уравнение Шредингера с учетом «дополнительного» потенциала для гетеропереходов InAs/GaSb и найдены значения энергетических уровней в сверхрешетке.
В настоящей работе рассмотрена возможность и предложена модель создания биосенсоров давления, оказываемого компрессионными изделиями, с помощью тензодатчиков на основе волоконных брэгговских решеток, являющихся удобным, гибким инструментом доставки излучения и изображения, в том числе и для использования внутри живого организма.
Моделирование ВАХ p-n переходов на основе InSb направлено как на решение прямой задачи – по известным свойствам материалов получить данные о качестве p-n перехода, так и на решение обратной задачи: приближая вольт-амперную характеристику, полученную расчетным путем, к результатам экспериментальных данных, получить значения параметров моделирования.
